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γ辐照下4T CMOS有源像素传感器的满阱容量退化机理 期刊论文
现代应用物理, 2019, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 64-68
Authors:  蔡毓龙;  李豫东;  郭旗;  文林;  周东;  冯婕;  马林东;  张翔
Adobe PDF(326Kb)  |  Favorite  |  View/Download:28/0  |  Submit date:2019/05/09
图像传感器  CMOS  满阱容量  电离总剂量效应  
体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响 期刊论文
电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069
Authors:  席善学;  陆妩;  郑齐文;  崔江维;  魏莹;  姚帅;  赵京昊;  郭旗
Adobe PDF(2605Kb)  |  Favorite  |  View/Download:17/0  |  Submit date:2019/06/21
总剂量效应  绝缘体上硅  体效应  浅沟槽隔离  
8T-全局曝光CMOS图像传感器单粒子翻转及损伤机理 期刊论文
光学学报, 2019, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 41-49
Authors:  汪波;  王立恒;  刘伟鑫;  孔泽斌;  李豫东;  李珍;  王昆黍;  祝伟明;  宣明
Adobe PDF(2548Kb)  |  Favorite  |  View/Download:52/1  |  Submit date:2019/07/01
探测器  互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器  重离子辐照  单粒子翻转  损伤机理  
辐照后互补金属氧化物半导体光子转移曲线和转换增益的测试方法 专利
专利类型: 发明专利, 公开号: CN106840613B, 公开日期: 2018-10-12,
Inventors:  李豫东;  冯婕;  马林东;  文林;  周东;  郭旗
Favorite  |  View/Download:4/0  |  Submit date:2019/08/06
互补金属氧化物半导体图像传感器单粒子效应试验图像在线采集方法 专利
专利类型: 发明专利, 公开号: CN108401151A, 公开日期: 2018-08-14,
Inventors:  李豫东;  文林;  冯婕;  施炜雷;  于新;  玛丽娅·黑尼;  郭旗
Favorite  |  View/Download:1/0  |  Submit date:2019/08/06
高总剂量水平双极器件剂量率效应及加速评估试验方法的研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2018
Authors:  李小龙
Adobe PDF(3941Kb)  |  Favorite  |  View/Download:54/0  |  Submit date:2018/07/06
双极晶体管  剂量率效应  低剂量率损伤增强效应  损伤机制  变温加速评估方法  
CMOS图像传感器在质子辐照下产生热像素的规律与机理研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2018
Authors:  王田晖
Adobe PDF(2341Kb)  |  Favorite  |  View/Download:48/0  |  Submit date:2018/07/06
Cmos图像传感器  热像素  质子辐照  位移损伤  暗信号  
空间高能粒子对纳米器件栅介质可靠性影响的研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2018
Authors:  马腾
Adobe PDF(2664Kb)  |  Favorite  |  View/Download:38/0  |  Submit date:2018/07/06
金属氧化物半导体  辐射效应  可靠性  辐射诱导泄漏电流  介质经时击穿  
一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法 专利
专利类型: 发明专利, 公开号: CN108037438A, 公开日期: 2018-05-15,
Inventors:  崔江维;  郑齐文;  魏莹;  孙静;  余学峰;  郭旗;  陆妩;  何承发;  任迪远
Favorite  |  View/Download:6/0  |  Submit date:2019/08/06
沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究 期刊论文
电子学报, 2018, 卷号: 46, 期号: 5, 页码: 1128-1132
Authors:  崔江维;  郑齐文;  余德昭;  周航;  苏丹丹;  马腾;  魏莹;  余学峰;  郭旗
Adobe PDF(1320Kb)  |  Favorite  |  View/Download:81/0  |  Submit date:2018/07/06
65nm  负偏压温度不稳定性  沟道宽度