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CMOS图像传感器在质子辐照下产生热像素的规律与机理研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2018
Authors:  王田晖
Adobe PDF(2341Kb)  |  Favorite  |  View/Download:47/0  |  Submit date:2018/07/06
Cmos图像传感器  热像素  质子辐照  位移损伤  暗信号  
科学级帧转移电荷耦合成像器件位移损伤效应与机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2017
Authors:  曾骏哲
Adobe PDF(3212Kb)  |  Favorite  |  View/Download:57/0  |  Submit date:2017/09/26
电荷耦合器件  位移损伤  位移缺陷  低温测试  仿真模拟  
InGaAs低维量子结构光电材料辐射效应研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  玛丽娅·黑尼
Adobe PDF(3593Kb)  |  Favorite  |  View/Download:130/0  |  Submit date:2016/12/19
Ingaas量子阱  量子点  辐射效应  位移损伤  
Total ionizing dose radiation effects in foue-transistor complementary metal oxide semiconductor image sensors 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2016, 卷号: 65, 期号: 2, 页码: 180-185
Authors:  Wang, F (Wang Fan);  Li, YD (Li Yu-Dong);  Guo, Q (Guo Qi);  Wang, B (Wang Bo);  Zhang, XY (Zhang Xing-Yao);  Wen, L (Wen Lin);  He, CF (He Cheng-Fa)
Adobe PDF(455Kb)  |  Favorite  |  View/Download:85/0  |  Submit date:2016/12/13
Complementary Metal Oxide Semiconductor Image Sensor  Total Ionizing Dose Radiation Effect  Pinned Photodiode  Full Well Chargecapacity  
CCD空间累积辐射效应及损伤机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2015
Authors:  文林
Adobe PDF(3260Kb)  |  Favorite  |  View/Download:285/0  |  Submit date:2015/06/15
电荷耦合器件  电离总剂量效应  位移效应  损伤机理  敏感参数  基本单元  
电子辐照深亚微米MOS晶体管的总剂量效应简 期刊论文
微电子学, 2015, 卷号: 45, 期号: 4, 页码: 537-540+544
Authors:  文林;  李豫东;  郭旗;  孙静;  任迪远;  崔江维;  汪波;  玛丽娅
Adobe PDF(418Kb)  |  Favorite  |  View/Download:126/0  |  Submit date:2015/09/09
深亚微米  Nmosfet  电子辐照  总剂量效应  
质子与中子辐照对电荷耦合器件暗信号参数的影响及其效应分析 期刊论文
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 19, 页码: 173-180
Authors:  曾骏哲;  李豫东;  文林;  何承发;  郭旗;  汪波;  玛丽娅;  魏莹;  王海娇;  武大猷;  王帆;  周航
Adobe PDF(648Kb)  |  Favorite  |  View/Download:119/1  |  Submit date:2016/06/07
电荷耦合器件  质子辐照  中子辐照  输运仿真  
电荷耦合器件在质子辐照下的粒子输运仿真与效应分析 期刊论文
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 11, 页码: 225-232
Authors:  曾骏哲;  何承发;  李豫东;  郭旗;  文林;  汪波;  玛丽娅;  王海娇
Adobe PDF(630Kb)  |  Favorite  |  View/Download:136/1  |  Submit date:2015/06/26
电荷耦合器件  质子辐照  位移效应  输运仿真  
Effects of proton and neutron irradiation on dark signal of charge-coupled device 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: 64, 期号: 19
Authors:  Zeng, JZ (Zeng Jun-Zhe);  Li, YD (Li Yu-Dong);  Wen, L (Wen Lin);  He, CF (He Cheng-Fa);  Guo, Q (Guo Qi);  Wang, B (Wang Bo);  Maria (Maria);  Wei, Y (Wei Yin);  Wang, HJ (Wang Hai-Jiao);  Wu, DY (Wu Da-You);  Wang, F (Wang Fan);  Zhou, H (Zhou Hang);  Wen, L
Adobe PDF(345Kb)  |  Favorite  |  View/Download:29/0  |  Submit date:2018/01/24
Charge Coupled Devices  Proton Irradiation  Neutron Irradiation  Transport Simulation  
SiGe HBT单粒子效应损伤机理研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2013
Authors:  张晋新
Adobe PDF(2436Kb)  |  Favorite  |  View/Download:379/6  |  Submit date:2013/06/03
锗硅异质结双极晶体管  单粒子效应  三维数值仿真  激光微束试验  电荷收集  敏感区域定位