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高总剂量水平双极器件剂量率效应及加速评估试验方法的研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2018
Authors:  李小龙
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双极晶体管  剂量率效应  低剂量率损伤增强效应  损伤机制  变温加速评估方法  
双多晶自对准NPN管的总剂量辐射效应研究 期刊论文
微电子学, 2018, 卷号: 48, 期号: 1, 页码: 120-125
Authors:  贾金成;  陆妩;  吴雪;  张培健;  孙静;  王信;  李小龙;  刘默寒;  郭旗;  刘元
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双多晶自动准  Npn管  60co-γ辐射  辐射损伤  
辐射环境下的微纳米器件可靠性变化机理与试验方法研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2017
Authors:  周航
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Cmos  热载流子  辐射效应  重离子辐照  Tddb  
基于国产双多晶自对准工艺的双极晶体管辐射效应研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2017
Authors:  贾金成
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双多晶自动准  双极晶体管  60co-γ辐射  基极  发射极尺寸  辐射损伤  Eldrs  
InGaAs低维量子结构光电材料辐射效应研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  玛丽娅·黑尼
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Ingaas量子阱  量子点  辐射效应  位移损伤  
星用纳米MOS器件的总剂量辐射效应与NBTI效应研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  余德昭
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Mosfet  辐射效应  Nbti  可靠性  
混合工艺DAC及ADC的总剂量效应研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  王信
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CCD空间累积辐射效应及损伤机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2015
Authors:  文林
Adobe PDF(3260Kb)  |  Favorite  |  View/Download:251/0  |  Submit date:2015/06/15
电荷耦合器件  电离总剂量效应  位移效应  损伤机理  敏感参数  基本单元  
静态随机存储器总剂量辐射损伤机制及试验方法研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2015
Authors:  郑齐文
Adobe PDF(7082Kb)  |  Favorite  |  View/Download:188/0  |  Submit date:2015/06/15
大规模集成电路  总剂量辐射  静态随机存储器  损伤机制  试验方法  
新型非易失存储器电离辐射效应及机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2014
Authors:  张兴尧
Adobe PDF(2943Kb)  |  Favorite  |  View/Download:325/2  |  Submit date:2014/08/05
新型非易失存储器  传统非易失存储器  总剂量效应  辐射敏感参数