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3MeV质子辐照下背照式CMOS图像传感器固定模式噪声的退化行为 期刊论文
现代应用物理, 2019, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 50-53
Authors:  张翔;  李豫东;  郭旗;  文林;  周东;  冯婕;  马林东;  蔡毓龙;  王志铭
Adobe PDF(227Kb)  |  Favorite  |  View/Download:19/0  |  Submit date:2019/05/09
背照式CMOS图像传感器  3MeV质子  固定模式噪声  位移效应  电离总剂量效应  
空间用四结键合太阳能电池子电池辐射效应研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2018
Authors:  赵晓凡
Adobe PDF(3195Kb)  |  Favorite  |  View/Download:103/0  |  Submit date:2018/07/06
四结键合太阳能电池  位移损伤  少子扩散长度  辐射效应  
CMOS图像传感器在质子辐照下产生热像素的规律与机理研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2018
Authors:  王田晖
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Cmos图像传感器  热像素  质子辐照  位移损伤  暗信号  
空间高能粒子对纳米器件栅介质可靠性影响的研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2018
Authors:  马腾
Adobe PDF(2664Kb)  |  Favorite  |  View/Download:32/0  |  Submit date:2018/07/06
金属氧化物半导体  辐射效应  可靠性  辐射诱导泄漏电流  介质经时击穿  
不同注量率质子辐照对CCD参数退化的影响分析 期刊论文
现代应用物理, 2018, 卷号: 9, 期号: 2, 页码: 67-70
Authors:  李豫东;  文林;  郭旗;  何承发;  周东;  冯婕;  张兴尧;  于新
Adobe PDF(727Kb)  |  Favorite  |  View/Download:38/0  |  Submit date:2018/07/24
质子  电荷耦合器件  辐射效应  注量率  缺陷  
γ射线及质子辐照导致CCD光谱响应退化的机制 期刊论文
发光学报, 2018, 卷号: 39, 期号: 2, 页码: 244-250
Authors:  文林;  李豫东;  郭旗;  汪朝敏
Adobe PDF(1365Kb)  |  Favorite  |  View/Download:61/0  |  Submit date:2018/03/13
电荷耦合器件  电离效应  位移损伤  光谱响应  
质子辐射导致CCD热像素产生的机制研究 期刊论文
微电子学, 2018, 卷号: 48, 期号: 1, 页码: 115-119+125
Authors:  刘元;  文林;  李豫东;  何承发;  郭旗;  孙静;  冯婕;  曾俊哲;  马林东;  张翔;  王田珲
Adobe PDF(756Kb)  |  Favorite  |  View/Download:42/0  |  Submit date:2018/03/19
电荷耦合器件  质子辐射效应  热像素  
Estimation of low-dose-rate degradation on bipolar linear circuits using different accelerated evaluation methods 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2018, 卷号: 67, 期号: 9, 页码: 202-209
Authors:  Li, XL (Li Xiao-Long)[ 1,2,3 ];  Lu, W (Lu Wu)[ 1,2 ];  Wang, X (Wang Xin)[ 1,2,3 ];  Guo, Q (Guo Qi)[ 1,2 ];  He, CF (He Cheng-Fa)[ 1,2 ];  Sun, J (Sun Jing)[ 1,2 ];  Yu, X (Yu Xin)[ 1,2 ];  Liu, MH (Liu Mo-Han)[ 1,2,3 ];  Jia, JC (Jia Jin-Cheng)[ 1,2,3 ];  Yao, S (Yao Shuai)[ 1,2,3 ];  Wei, XY (Wei Xin-Yu)[ 1,2,3 ]
Adobe PDF(531Kb)  |  Favorite  |  View/Download:45/0  |  Submit date:2018/09/27
Bipolar Circuit  Enhanced Low-dose-rate Sensitivity  Accelerated Evaluation Method  
质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响 期刊论文
现代应用物理, 2018, 卷号: 8, 期号: 4
Authors:  马腾;  崔江维;  郑齐文;  魏莹;  赵京昊;  梁晓雯;  余学峰;  郭旗
Adobe PDF(793Kb)  |  Favorite  |  View/Download:27/0  |  Submit date:2018/07/20
辐射诱导泄漏电流  栅氧经时击穿  可靠性  质子辐照  部分耗尽soi  
辐射环境下的微纳米器件可靠性变化机理与试验方法研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2017
Authors:  周航
Adobe PDF(3489Kb)  |  Favorite  |  View/Download:55/0  |  Submit date:2017/09/26
Cmos  热载流子  辐射效应  重离子辐照  Tddb