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总剂量辐射环境下微纳器件长期可靠性退化机理探究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2019
Authors:  赵京昊
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电离总剂量辐射  热载流子效应  栅氧经时击穿  负偏置温度不稳定性  
沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究 期刊论文
电子学报, 2018, 卷号: 46, 期号: 5, 页码: 1128-1132
Authors:  崔江维;  郑齐文;  余德昭;  周航;  苏丹丹;  马腾;  魏莹;  余学峰;  郭旗
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65nm  负偏压温度不稳定性  沟道宽度  
星用纳米MOS器件的总剂量辐射效应与NBTI效应研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  余德昭
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Mosfet  辐射效应  Nbti  可靠性  
静态随机存储器总剂量辐射损伤机制及试验方法研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2015
Authors:  郑齐文
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大规模集成电路  总剂量辐射  静态随机存储器  损伤机制  试验方法  
星用超深亚微米CMOS器件辐射效应及其可靠性研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
Authors:  崔江维
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超深亚微米器件  总剂量辐射  热载流子效应  负偏置温度不稳定性  相互作用