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空间高能粒子对纳米器件栅介质可靠性影响的研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2018
Authors:  马腾
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金属氧化物半导体  辐射效应  可靠性  辐射诱导泄漏电流  介质经时击穿  
一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法 专利
专利类型: 发明专利, 公开号: CN108037438A, 公开日期: 2018-05-15,
Inventors:  崔江维;  郑齐文;  魏莹;  孙静;  余学峰;  郭旗;  陆妩;  何承发;  任迪远
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沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究 期刊论文
电子学报, 2018, 卷号: 46, 期号: 5, 页码: 1128-1132
Authors:  崔江维;  郑齐文;  余德昭;  周航;  苏丹丹;  马腾;  魏莹;  余学峰;  郭旗
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65nm  负偏压温度不稳定性  沟道宽度  
γ射线和电子束对SOI MOSFET栅介质可靠性影响研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2017
Authors:  苏丹丹
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Mosfet  Tddb  辐射效应  可靠性  
纳米PMOSFET负偏压温度不稳定性测试方法 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2017, 卷号: 37, 期号: 6, 页码: 433-437
Authors:  崔江维;  郑齐文;  余徳昭;  周航;  苏丹丹;  马腾;  郭旗;  余学峰
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纳米器件  P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管  负偏压温度不稳定性  
星用纳米MOS器件的总剂量辐射效应与NBTI效应研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  余德昭
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Mosfet  辐射效应  Nbti  可靠性  
星用超深亚微米CMOS器件辐射效应及其可靠性研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
Authors:  崔江维
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超深亚微米器件  总剂量辐射  热载流子效应  负偏置温度不稳定性  相互作用  
深亚微米PMOSFET的NBTI效应研究 会议论文
, 三亚, 2011
Authors:  崔江维;  余学峰;  任迪远;  卢健
Adobe PDF(165Kb)  |  Favorite  |  View/Download:153/1  |  Submit date:2013/04/09
金属氧化物半导体场效应管  深亚微米  负偏压温度不稳定性效应  阈值电压  参数优化