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130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2019
Authors:  席善学
Adobe PDF(2441Kb)  |  Favorite  |  View/Download:5/0  |  Submit date:2019/07/15
总剂量效应  部分耗尽  浅槽隔离  模型  
体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响 期刊论文
电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069
Authors:  席善学;  陆妩;  郑齐文;  崔江维;  魏莹;  姚帅;  赵京昊;  郭旗
Adobe PDF(2605Kb)  |  Favorite  |  View/Download:12/0  |  Submit date:2019/06/21
总剂量效应  绝缘体上硅  体效应  浅沟槽隔离  
γ射线辐照对130 nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响 期刊论文
红外与激光工程, 2018, 卷号: 47, 期号: 9, 页码: 214-219
Authors:  马腾;  苏丹丹;  周航;  郑齐文;  崔江维;  魏莹;  余学峰;  郭旗
Favorite  |  View/Download:20/0  |  Submit date:2018/10/18
场效应晶体管  可靠性  栅氧经时击穿  Γ射线  
辐射环境下的微纳米器件可靠性变化机理与试验方法研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2017
Authors:  周航
Adobe PDF(3489Kb)  |  Favorite  |  View/Download:55/0  |  Submit date:2017/09/26
Cmos  热载流子  辐射效应  重离子辐照  Tddb  
γ射线和电子束对SOI MOSFET栅介质可靠性影响研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2017
Authors:  苏丹丹
Adobe PDF(6461Kb)  |  Favorite  |  View/Download:54/0  |  Submit date:2017/09/26
Mosfet  Tddb  辐射效应  可靠性  
基于X射线的晶圆级器件辐照与辐射效应参数提取设备的设计与实现 期刊论文
发光学报, 2017, 卷号: 38, 期号: 6, 页码: 828-834
Authors:  荀明珠;  李豫东;  郭旗;  何承发;  于新;  于钢;  文林;  张兴尧
Adobe PDF(1843Kb)  |  Favorite  |  View/Download:98/0  |  Submit date:2017/08/01
抗辐射加固  试验装置  晶圆级器件  X射线辐照  辐射效应  参数提取  
星用纳米MOS器件的总剂量辐射效应与NBTI效应研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  余德昭
Adobe PDF(1666Kb)  |  Favorite  |  View/Download:134/0  |  Submit date:2016/09/27
Mosfet  辐射效应  Nbti  可靠性  
总剂量效应致0.13μm部分耗尽绝缘体上硅N型金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子增强效应 期刊论文
物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 9, 页码: 242-249
Authors:  周航;  郑齐文;  崔江维;  余学峰;  郭旗;  任迪远;  余德昭;  苏丹丹
Adobe PDF(808Kb)  |  Favorite  |  View/Download:109/0  |  Submit date:2016/06/02
绝缘体上硅  电离辐射  热载流子  
Enhanced channel hot carrier effect of 0.13 mu m silicon-on-insulator N metal-oxide-semiconductor field-effect transistor induced by total ionizing dose effect 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2016, 卷号: 65, 期号: 9
Authors:  Zhou, H (Zhou Hang);  Zheng, QW (Zheng Qi-Wen);  Cui, JW (Cui Jiang-Wei);  Yu, XF (Yu Xue-Feng);  Guo, Q (Guo Qi);  Ren, DY (Ren Di-Yuan);  Yu, DZ (Yu De-Zhao);  Su, DD (Su Dan-Dan);  Yu, XF
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Silicon-on-insulator  Ionizing Radiation  Hot Carriers  
Dose-rate sensitivity of deep sub-micro complementary metal oxide semiconductor process 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2016, 卷号: 65, 期号: 7
Authors:  Zheng, QW (Zheng Qi-Wen);  Cui, JW (Cui Jiang-Wei);  Wang, HN (Wang Han-Ning);  Zhou, H (Zhou Hang);  Yu, DZ (Yu De-Zhao);  Wei, Y (Wei Ying);  Su, DD (Su Dan-Dan)
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Total Ionizing Dose Effects  Deep Sub-micron  Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor  Static Random Access Memory