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CMOS图像传感器在质子辐照下产生热像素的规律与机理研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2018
Authors:  王田晖
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Cmos图像传感器  热像素  质子辐照  位移损伤  暗信号  
科学级帧转移电荷耦合成像器件位移损伤效应与机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2017
Authors:  曾骏哲
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电荷耦合器件  位移损伤  位移缺陷  低温测试  仿真模拟  
正向晶格失配三结GaAs太阳电池辐射效应研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2017
Authors:  李占行
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晶格失配  位移损伤效应  位移损伤剂量  非电离能损  辐照退化  
3T和4T-CMOS图像传感器空间辐射效应及损伤机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  汪波
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Cmos图像传感器  钳位光电二极管  电离总剂量效应  位移损伤效应  抗辐射加固  
混合工艺DAC及ADC的总剂量效应研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  王信
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CMOS图像传感器辐射效应的测试技术 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  王帆
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Cmos图像传感器  测试方法  辐射效应  电离总剂量效应  位移损伤效应  Rts噪声  
CCD空间累积辐射效应及损伤机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2015
Authors:  文林
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电荷耦合器件  电离总剂量效应  位移效应  损伤机理  敏感参数  基本单元  
典型运放、比较器的电离与位移辐射损伤效应 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2015
Authors:  姜柯
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60coγ辐照源  质子辐射  电子辐射  中子辐射  双极器件  辐射效应  
SiGe HBT单粒子效应敏感区域分布与加固设计研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2015
Authors:  李培
Adobe PDF(2106Kb)  |  Favorite  |  View/Download:301/0  |  Submit date:2015/06/15
不同结构sige Hbt  单粒子效应  三维数值模拟仿真  激光微束试验  伪集电极加固  
锗硅异质结双极晶体管单粒子效应加固设计与仿真 期刊论文
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 11, 页码: 415-421
Authors:  李培;  郭红霞;  郭旗;  文林;  崔江维;  王信;  张晋新
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锗硅异质结双极晶体管  单粒子效应  加固设计  伪集电极