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空间高能粒子对纳米器件栅介质可靠性影响的研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2018
Authors:  马腾
Adobe PDF(2664Kb)  |  Favorite  |  View/Download:31/0  |  Submit date:2018/07/06
金属氧化物半导体  辐射效应  可靠性  辐射诱导泄漏电流  介质经时击穿  
总剂量辐射对65 nm NMOSFET热载流子敏感参数的影响 期刊论文
微电子学, 2018, 卷号: 48, 期号: 1, 页码: 126-130
Authors:  苏丹丹;  周航;  郑齐文;  崔江维;  孙静;  马腾;  魏莹;  余学峰;  郭旗
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65 Nm Nmosfet  总剂量效应  热载流子效应  
质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响 期刊论文
现代应用物理, 2018, 卷号: 8, 期号: 4
Authors:  马腾;  崔江维;  郑齐文;  魏莹;  赵京昊;  梁晓雯;  余学峰;  郭旗
Adobe PDF(793Kb)  |  Favorite  |  View/Download:27/0  |  Submit date:2018/07/20
辐射诱导泄漏电流  栅氧经时击穿  可靠性  质子辐照  部分耗尽soi  
γ射线和电子束对SOI MOSFET栅介质可靠性影响研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2017
Authors:  苏丹丹
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Mosfet  Tddb  辐射效应  可靠性  
辐射环境下的微纳米器件可靠性变化机理与试验方法研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2017
Authors:  周航
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Cmos  热载流子  辐射效应  重离子辐照  Tddb  
星用纳米MOS器件的总剂量辐射效应与NBTI效应研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  余德昭
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Mosfet  辐射效应  Nbti  可靠性  
Reliability of partially-depleted silicon-on-insulator n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor under the ionizing radiation environment 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: 64, 期号: 8
Authors:  Zhou, H (Zhou Hang);  Cui, JW (Cui Jiang-Wei);  Zheng, QW (Zheng Qi-Wen);  Guo, Q (Guo Qi);  Ren, DY (Ren Di-Yuan);  Yu, XF (Yu Xue-Feng);  Yu, XF
Adobe PDF(465Kb)  |  Favorite  |  View/Download:32/0  |  Submit date:2018/01/26
Reliability  Silicon-on-insulator N-channel Metal-oxide-semiconductor Field-effect Transistor  Total Ionizing Dose Effect  Electrical Stress  
电离辐射环境下的部分耗尽绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性研究 期刊论文
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 8, 页码: 250-256
Authors:  周航;  崔江维;  郑齐文;  郭旗;  任迪远;  余学峰
Adobe PDF(664Kb)  |  Favorite  |  View/Download:231/0  |  Submit date:2015/06/26
可靠性  绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管  总剂量效应  电应力  
SbTe基相变存储材料的辐射效应及损伤机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2013
Authors:  周东
Adobe PDF(6995Kb)  |  Favorite  |  View/Download:269/1  |  Submit date:2013/06/05
相变材料  总剂量辐射效应  位移效应  电子束诱导相变  激光诱导相变  
大规模集成电路抗辐射性能无损筛选方法 期刊论文
强激光与粒子束, 2013, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 485-489
Authors:  周东;  郭旗;  任迪远;  李豫东;  席善斌;  孙静;  文林
Adobe PDF(349Kb)  |  Favorite  |  View/Download:232/8  |  Submit date:2013/04/12
大规模集成电路  无损筛选  辐射损伤  回归分析  物理应力