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总剂量辐射环境下微纳器件长期可靠性退化机理探究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2019
Authors:  赵京昊
Adobe PDF(4317Kb)  |  Favorite  |  View/Download:7/0  |  Submit date:2019/07/15
电离总剂量辐射  热载流子效应  栅氧经时击穿  负偏置温度不稳定性  
空间高能粒子对纳米器件栅介质可靠性影响的研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2018
Authors:  马腾
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金属氧化物半导体  辐射效应  可靠性  辐射诱导泄漏电流  介质经时击穿  
总剂量辐射对65 nm NMOSFET热载流子敏感参数的影响 期刊论文
微电子学, 2018, 卷号: 48, 期号: 1, 页码: 126-130
Authors:  苏丹丹;  周航;  郑齐文;  崔江维;  孙静;  马腾;  魏莹;  余学峰;  郭旗
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65 Nm Nmosfet  总剂量效应  热载流子效应  
辐射环境下的微纳米器件可靠性变化机理与试验方法研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2017
Authors:  周航
Adobe PDF(3489Kb)  |  Favorite  |  View/Download:56/0  |  Submit date:2017/09/26
Cmos  热载流子  辐射效应  重离子辐照  Tddb  
γ射线和电子束对SOI MOSFET栅介质可靠性影响研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2017
Authors:  苏丹丹
Adobe PDF(6461Kb)  |  Favorite  |  View/Download:54/0  |  Submit date:2017/09/26
Mosfet  Tddb  辐射效应  可靠性  
星用纳米MOS器件的总剂量辐射效应与NBTI效应研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  余德昭
Adobe PDF(1666Kb)  |  Favorite  |  View/Download:134/0  |  Submit date:2016/09/27
Mosfet  辐射效应  Nbti  可靠性  
总剂量效应致0.13μm部分耗尽绝缘体上硅N型金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子增强效应 期刊论文
物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 9, 页码: 242-249
Authors:  周航;  郑齐文;  崔江维;  余学峰;  郭旗;  任迪远;  余德昭;  苏丹丹
Adobe PDF(808Kb)  |  Favorite  |  View/Download:109/0  |  Submit date:2016/06/02
绝缘体上硅  电离辐射  热载流子  
Enhanced channel hot carrier effect of 0.13 mu m silicon-on-insulator N metal-oxide-semiconductor field-effect transistor induced by total ionizing dose effect 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2016, 卷号: 65, 期号: 9
Authors:  Zhou, H (Zhou Hang);  Zheng, QW (Zheng Qi-Wen);  Cui, JW (Cui Jiang-Wei);  Yu, XF (Yu Xue-Feng);  Guo, Q (Guo Qi);  Ren, DY (Ren Di-Yuan);  Yu, DZ (Yu De-Zhao);  Su, DD (Su Dan-Dan);  Yu, XF
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Silicon-on-insulator  Ionizing Radiation  Hot Carriers  
静态随机存储器总剂量辐射损伤机制及试验方法研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2015
Authors:  郑齐文
Adobe PDF(7082Kb)  |  Favorite  |  View/Download:188/0  |  Submit date:2015/06/15
大规模集成电路  总剂量辐射  静态随机存储器  损伤机制  试验方法  
深亚微米N沟道MOS晶体管的总剂量效应 期刊论文
微电子学, 2015, 卷号: 45, 期号: 5, 页码: 666-669
Authors:  文林;  李豫东;  郭旗;  孙静;  任迪远;  崔江维;  汪波;  玛丽娅
Adobe PDF(508Kb)  |  Favorite  |  View/Download:85/0  |  Submit date:2016/06/07
深亚微米  Nmosfet  总剂量效应  窄沟效应