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总剂量辐射对65 nm NMOSFET热载流子敏感参数的影响 期刊论文
微电子学, 2018, 卷号: 48, 期号: 1, 页码: 126-130
Authors:  苏丹丹;  周航;  郑齐文;  崔江维;  孙静;  马腾;  魏莹;  余学峰;  郭旗
Adobe PDF(1083Kb)  |  Favorite  |  View/Download:39/0  |  Submit date:2018/03/19
65 Nm Nmosfet  总剂量效应  热载流子效应  
辐射环境下的微纳米器件可靠性变化机理与试验方法研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2017
Authors:  周航
Adobe PDF(3489Kb)  |  Favorite  |  View/Download:55/0  |  Submit date:2017/09/26
Cmos  热载流子  辐射效应  重离子辐照  Tddb  
星用纳米MOS器件的总剂量辐射效应与NBTI效应研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  余德昭
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Mosfet  辐射效应  Nbti  可靠性  
微纳大规模集成电路SRAM的总剂量辐射效应及评估方法研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2014
Authors:  丛忠超
Adobe PDF(1720Kb)  |  Favorite  |  View/Download:210/0  |  Submit date:2014/09/02
Sram  测试系统  辐照偏置  静态功耗电流  失效模式  
星用超深亚微米CMOS器件辐射效应及其可靠性研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
Authors:  崔江维
Adobe PDF(1798Kb)  |  Favorite  |  View/Download:111/0  |  Submit date:2016/05/10
超深亚微米器件  总剂量辐射  热载流子效应  负偏置温度不稳定性  相互作用  
沟道宽长比对深亚微米NMOSFET总剂量辐射与热载流子损伤的影响 期刊论文
物理学报, 2012, 卷号: 61, 期号: 2, 页码: 347-353
Authors:  崔江维;  余学峰;  任迪远;  卢健
Adobe PDF(623Kb)  |  Favorite  |  View/Download:182/11  |  Submit date:2012/11/29
深亚微米  总剂量辐射  热载流子效应  
Si/SiO2系统的总剂量辐射损伤及辐射感生界面态的能级分布 期刊论文
核电子学与探测技术, 2006, 卷号: 26, 期号: 3, 页码: 328-330
Authors:  余学峰;  张国强;  艾尔肯;  郭旗;  陆妩;  任迪远
Adobe PDF(110Kb)  |  Favorite  |  View/Download:154/9  |  Submit date:2012/11/29
Mos电容  氧化物电荷  界面态  能级分布  
Hot-carrier injection induced interface states in MOS structure and their annealing characteristics 期刊论文
Nuclear Techniques, 2006, 卷号: 29, 期号: 1, 页码: 19-21
Authors:  Yu Xuefeng;  Ai Erken;  Ren Diyuan;  Guo Qi;  Zhang Guoqiang;  Lu Wu
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MOS结构热载子注入与总剂量辐照响应的相关性 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: 1975-1978
Authors:  余学峰;  任迪远;  艾尔肯;  张国强;  陆妩;  郭旗
Adobe PDF(347Kb)  |  Favorite  |  View/Download:186/6  |  Submit date:2012/11/29
热载子注入  总剂量辐照  相关性