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双多晶自对准NPN管的总剂量辐射效应研究 期刊论文
微电子学, 2018, 卷号: 48, 期号: 1, 页码: 120-125
Authors:  贾金成;  陆妩;  吴雪;  张培健;  孙静;  王信;  李小龙;  刘默寒;  郭旗;  刘元
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双多晶自动准  Npn管  60co-γ辐射  辐射损伤  
双极电压比较器高低剂量率辐照损伤特性 期刊论文
核技术, 2018, 卷号: 41, 期号: 9, 页码: 13-19
Authors:  贾金成;  李小龙;  陆妩;  孙静;  王信;  刘默寒;  魏昕宇;  姚帅;  郭旗
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双极电压比较器  60Co-γ辐照  剂量率影响  
行间转移电荷耦合器件位移损伤效应测试表征技术研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2017
Authors:  刘元
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电荷耦合器件  辐射损伤  位移损伤效应  温度效应  热像素  
星用纳米MOS器件的总剂量辐射效应与NBTI效应研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  余德昭
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Mosfet  辐射效应  Nbti  可靠性  
3T和4T-CMOS图像传感器空间辐射效应及损伤机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  汪波
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Cmos图像传感器  钳位光电二极管  电离总剂量效应  位移损伤效应  抗辐射加固  
混合工艺DAC及ADC的总剂量效应研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  王信
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60Co-γ射线和电子束对CCD辐射效应的比较研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  武大猷
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电荷耦合器件  60co-γ辐照  电子辐照  辐射损伤  低剂量率损伤增强效应  
CCD空间累积辐射效应及损伤机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2015
Authors:  文林
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电荷耦合器件  电离总剂量效应  位移效应  损伤机理  敏感参数  基本单元  
静态随机存储器总剂量辐射损伤机制及试验方法研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2015
Authors:  郑齐文
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大规模集成电路  总剂量辐射  静态随机存储器  损伤机制  试验方法  
典型运放、比较器的电离与位移辐射损伤效应 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2015
Authors:  姜柯
Adobe PDF(2075Kb)  |  Favorite  |  View/Download:268/0  |  Submit date:2015/06/15
60coγ辐照源  质子辐射  电子辐射  中子辐射  双极器件  辐射效应