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CMOS图像传感器光子转移曲线辐照后的退化机理 期刊论文
光学精密工程, 2017, 卷号: 25, 期号: 10, 页码: 2676-2681
Authors:  冯婕;  李豫东;  文林;  周东;  马林东
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Cmos图像传感器  辐照  光子转移曲线  转换增益  
3T和4T-CMOS图像传感器空间辐射效应及损伤机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  汪波
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Cmos图像传感器  钳位光电二极管  电离总剂量效应  位移损伤效应  抗辐射加固  
混合工艺DAC及ADC的总剂量效应研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  王信
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CMOS图像传感器辐射效应的测试技术 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  王帆
Adobe PDF(2290Kb)  |  Favorite  |  View/Download:280/0  |  Submit date:2016/09/27
Cmos图像传感器  测试方法  辐射效应  电离总剂量效应  位移损伤效应  Rts噪声  
Total ionizing dose radiation effects in foue-transistor complementary metal oxide semiconductor image sensors 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2016, 卷号: 65, 期号: 2, 页码: 180-185
Authors:  Wang, F (Wang Fan);  Li, YD (Li Yu-Dong);  Guo, Q (Guo Qi);  Wang, B (Wang Bo);  Zhang, XY (Zhang Xing-Yao);  Wen, L (Wen Lin);  He, CF (He Cheng-Fa)
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Complementary Metal Oxide Semiconductor Image Sensor  Total Ionizing Dose Radiation Effect  Pinned Photodiode  Full Well Chargecapacity  
基于4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器总剂量辐射效应研究 期刊论文
物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 2, 页码: 180-185
Authors:  王帆;  李豫东;  郭旗;  汪波;  张兴尧;  文林;  何承发
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互补金属氧化物半导体图像传感器  电离总剂量效应  钳位二极管  满阱容量  
温度对4管像素结构CMOS图像传感器性能参数的影响 期刊论文
发光学报, 2016, 卷号: 37, 期号: 3, 页码: 332-337
Authors:  王帆;  李豫东;  郭旗;  汪波;  张兴尧
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Cmos图像传感器  转换增益  满阱容量  暗电流  温度  
荧光碳量子点绿色合成及其汞、银离子传感性能研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2015
Authors:  宋婷
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碳量子点  绿色合成  汞离子  银离子  荧光传感  
新型非易失存储器电离辐射效应及机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2014
Authors:  张兴尧
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新型非易失存储器  传统非易失存储器  总剂量效应  辐射敏感参数  
高速深亚微米CMOS模数/数模转换器辐射效应、损伤机理及评估方法研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2014
Authors:  吴雪
Adobe PDF(4353Kb)  |  Favorite  |  View/Download:263/1  |  Submit date:2014/08/05
深亚微米  高速模数/数模转换器  辐照偏置条件  总剂量效应  单粒子效应  加速评估方法