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辐射环境下的微纳米器件可靠性变化机理与试验方法研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2017
Authors:  周航
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Cmos  热载流子  辐射效应  重离子辐照  Tddb  
科学级帧转移电荷耦合成像器件位移损伤效应与机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2017
Authors:  曾骏哲
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电荷耦合器件  位移损伤  位移缺陷  低温测试  仿真模拟  
3T和4T-CMOS图像传感器空间辐射效应及损伤机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  汪波
Adobe PDF(3966Kb)  |  Favorite  |  View/Download:666/0  |  Submit date:2016/09/27
Cmos图像传感器  钳位光电二极管  电离总剂量效应  位移损伤效应  抗辐射加固  
混合工艺DAC及ADC的总剂量效应研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  王信
Adobe PDF(4026Kb)  |  Favorite  |  View/Download:98/0  |  Submit date:2016/09/27
60Co-γ射线和电子束对CCD辐射效应的比较研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  武大猷
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电荷耦合器件  60co-γ辐照  电子辐照  辐射损伤  低剂量率损伤增强效应  
超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应 期刊论文
物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 7, 页码: 258-263
Authors:  郑齐文;  崔江维;  王汉宁;  周航;  余徳昭;  魏莹;  苏丹丹
Adobe PDF(520Kb)  |  Favorite  |  View/Download:113/0  |  Submit date:2016/06/02
总剂量辐射效应  超深亚微米  金属氧化物半导体场效应晶体管  静态随机存储器  
Dose-rate sensitivity of deep sub-micro complementary metal oxide semiconductor process 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2016, 卷号: 65, 期号: 7
Authors:  Zheng, QW (Zheng Qi-Wen);  Cui, JW (Cui Jiang-Wei);  Wang, HN (Wang Han-Ning);  Zhou, H (Zhou Hang);  Yu, DZ (Yu De-Zhao);  Wei, Y (Wei Ying);  Su, DD (Su Dan-Dan)
Adobe PDF(406Kb)  |  Favorite  |  View/Download:66/0  |  Submit date:2016/12/12
Total Ionizing Dose Effects  Deep Sub-micron  Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor  Static Random Access Memory  
CCD空间累积辐射效应及损伤机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2015
Authors:  文林
Adobe PDF(3260Kb)  |  Favorite  |  View/Download:294/0  |  Submit date:2015/06/15
电荷耦合器件  电离总剂量效应  位移效应  损伤机理  敏感参数  基本单元  
静态随机存储器总剂量辐射损伤机制及试验方法研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2015
Authors:  郑齐文
Adobe PDF(7082Kb)  |  Favorite  |  View/Download:191/0  |  Submit date:2015/06/15
大规模集成电路  总剂量辐射  静态随机存储器  损伤机制  试验方法  
新型非易失存储器电离辐射效应及机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2014
Authors:  张兴尧
Adobe PDF(2943Kb)  |  Favorite  |  View/Download:326/2  |  Submit date:2014/08/05
新型非易失存储器  传统非易失存储器  总剂量效应  辐射敏感参数