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3T和4T-CMOS图像传感器空间辐射效应及损伤机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  汪波
Adobe PDF(3966Kb)  |  Favorite  |  View/Download:667/0  |  Submit date:2016/09/27
Cmos图像传感器  钳位光电二极管  电离总剂量效应  位移损伤效应  抗辐射加固  
混合工艺DAC及ADC的总剂量效应研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  王信
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高速深亚微米CMOS模数/数模转换器辐射效应、损伤机理及评估方法研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2014
Authors:  吴雪
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深亚微米  高速模数/数模转换器  辐照偏置条件  总剂量效应  单粒子效应  加速评估方法  
深亚微米金属氧化物场效应晶体管及寄生双极晶体管的总剂量效应研究 期刊论文
物理学报, 2014, 卷号: 63, 期号: 22, 页码: 262-269
Authors:  王信;  陆妩;  吴雪;  马武英;  崔江维;  刘默寒;  姜柯
Adobe PDF(751Kb)  |  Favorite  |  View/Download:160/0  |  Submit date:2017/10/13
总剂量效应  N沟道金属氧化物场效应晶体管  寄生双极晶体管  Bandgap基准电压源  
Radiation effect of deep-submicron metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and parasitic transistor 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2014, 卷号: 63, 期号: 22
Authors:  Wang, X (Wang Xin);  Lu, W (Lu Wu);  Wu, X (Wu Xue);  Ma, WY (Ma Wu-Ying);  Cui, JW (Cui Jiang-Wei);  Liu, MH (Liu Mo-Han);  Jiang, K (Jiang Ke)
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Total Dose Radiation  Nmosfet  Parasitic Transistor  Bandgap Voltage Reference  
混合工艺数模转换器总剂量效应研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2013
Authors:  王信
Adobe PDF(3033Kb)  |  Favorite  |  View/Download:211/3  |  Submit date:2013/06/05
数模转换器  总剂量效应  Bicmos Cbcmos Lc2mos 偏置  剂量率效应  
星用超深亚微米CMOS器件辐射效应及其可靠性研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
Authors:  崔江维
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超深亚微米器件  总剂量辐射  热载流子效应  负偏置温度不稳定性  相互作用  
典型双极模拟集成电路电离辐射效应及机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
Authors:  王义元
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电离辐射  偏置条件  低剂量率损伤增强效应  模拟电路  数模/模数转换器  
12位BiCMOS模数转换器的剂量率效应 期刊论文
核技术, 2011, 卷号: 34, 期号: 9, 页码: 669-674
Authors:  吴雪;  陆妩;  王义元;  胥佳灵;  张乐情;  卢健;  于新;  胡天乐
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Bicmos  模数转换器  剂量率  60coγ辐照  
不同偏置条件的10位模数转换器的电离辐射效应 会议论文
, 苏州, 2011-11-01
Authors:  胥佳灵;  陆妩;  王义元;  吴雪;  胡天乐;  卢健;  张乐情;  于新
Adobe PDF(372Kb)  |  Favorite  |  View/Download:169/1  |  Submit date:2013/04/09
宇航电子系统  模拟数字转换器  偏置条件  电离辐射效应