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基于HfO2的阻变存储器抗辐照特性研究 会议论文
, 成都, 2013-11-15
Authors:  胡绍刚;  张兴尧;  顾野
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阻变存储器  抗辐照特性  二氧化铪  伽马射线  
相变存储器单元总剂量辐射效应的研究 会议论文
, 三亚, 2011-11-01
Authors:  周东;  郭旗;  宋志棠;  吴良才;  李豫东;  席善斌
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航天器  相变存储器  总剂量辐照  抗辐照能力  
不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性 期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 7, 页码: 780-784
Authors:  任迪远;  陆妩;  余学锋;  郭旗;  张国强;  胡浴红;  王明刚;  赵文魁
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注fcmos运算放大器  电离辐照  跨导