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γ辐照下4T CMOS有源像素传感器的满阱容量退化机理 期刊论文
现代应用物理, 2019, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 64-68
Authors:  蔡毓龙;  李豫东;  郭旗;  文林;  周东;  冯婕;  马林东;  张翔
Adobe PDF(326Kb)  |  Favorite  |  View/Download:28/0  |  Submit date:2019/05/09
图像传感器  CMOS  满阱容量  电离总剂量效应  
体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响 期刊论文
电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069
Authors:  席善学;  陆妩;  郑齐文;  崔江维;  魏莹;  姚帅;  赵京昊;  郭旗
Adobe PDF(2605Kb)  |  Favorite  |  View/Download:17/0  |  Submit date:2019/06/21
总剂量效应  绝缘体上硅  体效应  浅沟槽隔离  
高总剂量水平双极器件剂量率效应及加速评估试验方法的研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2018
Authors:  李小龙
Adobe PDF(3941Kb)  |  Favorite  |  View/Download:53/0  |  Submit date:2018/07/06
双极晶体管  剂量率效应  低剂量率损伤增强效应  损伤机制  变温加速评估方法  
空间高能粒子对纳米器件栅介质可靠性影响的研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2018
Authors:  马腾
Adobe PDF(2664Kb)  |  Favorite  |  View/Download:37/0  |  Submit date:2018/07/06
金属氧化物半导体  辐射效应  可靠性  辐射诱导泄漏电流  介质经时击穿  
一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法 专利
专利类型: 发明专利, 公开号: CN108037438A, 公开日期: 2018-05-15,
Inventors:  崔江维;  郑齐文;  魏莹;  孙静;  余学峰;  郭旗;  陆妩;  何承发;  任迪远
Favorite  |  View/Download:6/0  |  Submit date:2019/08/06
Estimation of low-dose-rate degradation on bipolar linear circuits using different accelerated evaluation methods 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2018, 卷号: 67, 期号: 9, 页码: 202-209
Authors:  Li, XL (Li Xiao-Long)[ 1,2,3 ];  Lu, W (Lu Wu)[ 1,2 ];  Wang, X (Wang Xin)[ 1,2,3 ];  Guo, Q (Guo Qi)[ 1,2 ];  He, CF (He Cheng-Fa)[ 1,2 ];  Sun, J (Sun Jing)[ 1,2 ];  Yu, X (Yu Xin)[ 1,2 ];  Liu, MH (Liu Mo-Han)[ 1,2,3 ];  Jia, JC (Jia Jin-Cheng)[ 1,2,3 ];  Yao, S (Yao Shuai)[ 1,2,3 ];  Wei, XY (Wei Xin-Yu)[ 1,2,3 ]
Adobe PDF(531Kb)  |  Favorite  |  View/Download:80/0  |  Submit date:2018/09/27
Bipolar Circuit  Enhanced Low-dose-rate Sensitivity  Accelerated Evaluation Method  
典型模拟电路低剂量率辐照损伤增强效应的研究与评估 期刊论文
物理学报, 2018, 卷号: 67, 期号: 9, 页码: 202-209
Authors:  李小龙;  陆妩;  王信;  郭旗;  何承发;  孙静;  于新;  刘默寒;  贾金成;  姚帅;  魏昕宇
Adobe PDF(618Kb)  |  Favorite  |  View/Download:63/1  |  Submit date:2018/09/12
双极模拟电路  低剂量率辐照损伤增强效应  加速评估方法  
总剂量辐射对65 nm NMOSFET热载流子敏感参数的影响 期刊论文
微电子学, 2018, 卷号: 48, 期号: 1, 页码: 126-130
Authors:  苏丹丹;  周航;  郑齐文;  崔江维;  孙静;  马腾;  魏莹;  余学峰;  郭旗
Adobe PDF(1083Kb)  |  Favorite  |  View/Download:41/0  |  Submit date:2018/03/19
65 Nm Nmosfet  总剂量效应  热载流子效应  
不同偏置状态下4T-CMOS图像传感器的总剂量辐射效应 期刊论文
红外与激光工程, 2018, 卷号: 47, 期号: 10, 页码: 316-320
Authors:  马林东;  李豫东;  郭旗;  文林;  周东;  冯婕
Adobe PDF(377Kb)  |  Favorite  |  View/Download:55/0  |  Submit date:2018/11/19
Cmos有源像素传感器  总剂量效应  暗电流  
双极电压比较器高低剂量率辐照损伤特性 期刊论文
核技术, 2018, 卷号: 41, 期号: 9, 页码: 13-19
Authors:  贾金成;  李小龙;  陆妩;  孙静;  王信;  刘默寒;  魏昕宇;  姚帅;  郭旗
Adobe PDF(828Kb)  |  Favorite  |  View/Download:21/0  |  Submit date:2018/10/18
双极电压比较器  60Co-γ辐照  剂量率影响