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静态随机存储器总剂量辐射损伤机制及试验方法研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2015
Authors:  郑齐文
Adobe PDF(7082Kb)  |  Favorite  |  View/Download:191/0  |  Submit date:2015/06/15
大规模集成电路  总剂量辐射  静态随机存储器  损伤机制  试验方法  
新型非易失存储器电离辐射效应及机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2014
Authors:  张兴尧
Adobe PDF(2943Kb)  |  Favorite  |  View/Download:325/2  |  Submit date:2014/08/05
新型非易失存储器  传统非易失存储器  总剂量效应  辐射敏感参数  
serial ferroelectric memory ionizing radiation effects and annealing characteristics 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 卷号: 62, 期号: 15, 页码: 347-352
Authors:  Zhang Xing-Yao;  Guo Qi;  Lu Wu;  Zhang Xiao-Fu;  Zheng Qi-Wen;  Cui Jiang-Wei;  Li Yu-Dong;  Zhou Dong
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Ferroelectric Random Memory  Ionizing Radiation Effects  Annealing Characteristics  
串口型铁电存储器总剂量辐射损伤效应和退火特性 期刊论文
物理学报, 2013, 卷号: 62, 期号: 15, 页码: 347-352
Authors:  张兴尧;  郭旗;  陆妩;  张孝富;  郑齐文;  崔江维;  李豫东;  周东
Adobe PDF(444Kb)  |  Favorite  |  View/Download:235/0  |  Submit date:2013/11/06
铁电存储器  总剂量辐射  退火特性  
不同规模SRAM辐射损伤效应的研究 期刊论文
微电子学, 2013, 卷号: 43, 期号: 3, 页码: 426-430
Authors:  卢健;  余学峰;  郑齐文;  崔江维;  胥佳灵
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静态随机存储器  总剂量效应  阈值电压  
静态随机存储器总剂量辐射效应及损伤机理的研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
Authors:  卢健
Adobe PDF(867Kb)  |  Favorite  |  View/Download:90/0  |  Submit date:2016/05/10
Sram  大规模集成电路  不同偏置  总剂量辐射效应  辐射损伤  
星用超深亚微米CMOS器件辐射效应及其可靠性研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
Authors:  崔江维
Adobe PDF(1798Kb)  |  Favorite  |  View/Download:114/0  |  Submit date:2016/05/10
超深亚微米器件  总剂量辐射  热载流子效应  负偏置温度不稳定性  相互作用  
不同偏置下CMOS SRAM辐射损伤效应 期刊论文
核技术, 2012, 卷号: 35, 期号: 8, 页码: 601-605
Authors:  卢健;  余学峰;  李明;  张乐情;  崔江维;  郑齐文;  胥佳灵
Adobe PDF(692Kb)  |  Favorite  |  View/Download:174/14  |  Submit date:2012/11/29
静态随机存储器  总剂量效应  不同偏置条件  辐射损伤  印记现象  
部分耗尽绝缘层附着硅静态随机存储器总剂量辐射损伤效应的研究 期刊论文
物理学报, 2012, 卷号: 61, 期号: 10, 页码: 323-329
Authors:  李明;  余学峰;  薛耀国;  卢健;  崔江维;  高博
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部分耗尽绝缘层附着硅  静态随机存储器  总剂量效应  功耗电流  
典型双极模拟集成电路电离辐射效应及机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
Authors:  王义元
Adobe PDF(2132Kb)  |  Favorite  |  View/Download:101/0  |  Submit date:2016/05/24
电离辐射  偏置条件  低剂量率损伤增强效应  模拟电路  数模/模数转换器