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130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2019
Authors:  席善学
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总剂量效应  部分耗尽  浅槽隔离  模型  
辐射对HgCdTe红外器件暗电流特性的影响研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2019
Authors:  王志铭
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HgCdTe红外探测器  辐射效应  暗电流  总剂量效应  位移效应  
深亚微米CMOS图像传感器像素单元累积辐射效应研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2019
Authors:  马林东
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CMOS图像传感器  总剂量效应  位移效应  
3MeV质子辐照下背照式CMOS图像传感器固定模式噪声的退化行为 期刊论文
现代应用物理, 2019, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 50-53
Authors:  张翔;  李豫东;  郭旗;  文林;  周东;  冯婕;  马林东;  蔡毓龙;  王志铭
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背照式CMOS图像传感器  3MeV质子  固定模式噪声  位移效应  电离总剂量效应  
γ辐照下4T CMOS有源像素传感器的满阱容量退化机理 期刊论文
现代应用物理, 2019, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 64-68
Authors:  蔡毓龙;  李豫东;  郭旗;  文林;  周东;  冯婕;  马林东;  张翔
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图像传感器  CMOS  满阱容量  电离总剂量效应  
空间碎片探测卫星成像CCD的在轨辐射效应分析简 期刊论文
遥感学报, 2019, 卷号: 23, 期号: 1, 页码: 116-124
Authors:  李豫东;  文林;  黄建余;  文延;  张科科;  郭旗
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空间碎片探测  电荷耦合器件  辐射效应  在轨数据分析  瞬时效应  热像素  
体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响 期刊论文
电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069
Authors:  席善学;  陆妩;  郑齐文;  崔江维;  魏莹;  姚帅;  赵京昊;  郭旗
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总剂量效应  绝缘体上硅  体效应  浅沟槽隔离  
高总剂量水平双极器件剂量率效应及加速评估试验方法的研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2018
Authors:  李小龙
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双极晶体管  剂量率效应  低剂量率损伤增强效应  损伤机制  变温加速评估方法  
空间用四结键合太阳能电池子电池辐射效应研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2018
Authors:  赵晓凡
Adobe PDF(3195Kb)  |  Favorite  |  View/Download:109/0  |  Submit date:2018/07/06
四结键合太阳能电池  位移损伤  少子扩散长度  辐射效应  
CMOS图像传感器在质子辐照下产生热像素的规律与机理研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2018
Authors:  王田晖
Adobe PDF(2341Kb)  |  Favorite  |  View/Download:48/0  |  Submit date:2018/07/06
Cmos图像传感器  热像素  质子辐照  位移损伤  暗信号