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金和铁掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻 专利
专利类型: 发明专利, 公开号: CN103208341B, 公开日期: 2016-01-20,
Inventors:  范艳伟;  周步康;  陈朝阳;  王军华
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硅基热敏电阻的制备及性能研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
Authors:  张希涛
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单晶硅  Ntcr  Ptcr  低阻高b  开管涂源  
金和铂掺杂单晶硅制备NTCR的研究 期刊论文
电子元件与材料, 2011, 卷号: 30, 期号: 6, 页码: 29-32
Authors:  张希涛;  陈朝阳;  范艳伟;  丛秀云
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Ntc热敏电阻  单晶硅      深能级杂质  
掺杂硅热敏材料的制备及其特性研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2009
Authors:  董茂进
Adobe PDF(923Kb)  |  Favorite  |  View/Download:120/0  |  Submit date:2014/10/14
单晶硅  深能级杂质  热敏特性  Ntc      电学特性  片式  
Au和Ni掺杂n型硅材料的制备及其热敏特性 期刊论文
功能材料, 2009, 卷号: 40, 期号: 1, 页码: 37-39
Authors:  董茂进;  陈朝阳;  范艳伟;  丛秀云;  王军华;  陶明德
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双重掺杂  深能级杂质  Au  Ni  热敏特性