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深亚微米CMOS图像传感器像素单元累积辐射效应研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2019
Authors:  马林东
Adobe PDF(3680Kb)  |  Favorite  |  View/Download:6/0  |  Submit date:2019/07/15
CMOS图像传感器  总剂量效应  位移效应  
3MeV质子辐照下背照式CMOS图像传感器固定模式噪声的退化行为 期刊论文
现代应用物理, 2019, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 50-53
Authors:  张翔;  李豫东;  郭旗;  文林;  周东;  冯婕;  马林东;  蔡毓龙;  王志铭
Adobe PDF(227Kb)  |  Favorite  |  View/Download:20/0  |  Submit date:2019/05/09
背照式CMOS图像传感器  3MeV质子  固定模式噪声  位移效应  电离总剂量效应  
γ辐照下4T CMOS有源像素传感器的满阱容量退化机理 期刊论文
现代应用物理, 2019, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 64-68
Authors:  蔡毓龙;  李豫东;  郭旗;  文林;  周东;  冯婕;  马林东;  张翔
Adobe PDF(326Kb)  |  Favorite  |  View/Download:20/0  |  Submit date:2019/05/09
图像传感器  CMOS  满阱容量  电离总剂量效应  
8T-全局曝光CMOS图像传感器单粒子翻转及损伤机理 期刊论文
光学学报, 2019, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 41-49
Authors:  汪波;  王立恒;  刘伟鑫;  孔泽斌;  李豫东;  李珍;  王昆黍;  祝伟明;  宣明
Adobe PDF(2548Kb)  |  Favorite  |  View/Download:43/1  |  Submit date:2019/07/01
探测器  互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器  重离子辐照  单粒子翻转  损伤机理  
空间用四结键合太阳能电池子电池辐射效应研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2018
Authors:  赵晓凡
Adobe PDF(3195Kb)  |  Favorite  |  View/Download:104/0  |  Submit date:2018/07/06
四结键合太阳能电池  位移损伤  少子扩散长度  辐射效应  
CMOS图像传感器在质子辐照下产生热像素的规律与机理研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2018
Authors:  王田晖
Adobe PDF(2341Kb)  |  Favorite  |  View/Download:46/0  |  Submit date:2018/07/06
Cmos图像传感器  热像素  质子辐照  位移损伤  暗信号  
不同注量率质子辐照对CCD参数退化的影响分析 期刊论文
现代应用物理, 2018, 卷号: 9, 期号: 2, 页码: 67-70
Authors:  李豫东;  文林;  郭旗;  何承发;  周东;  冯婕;  张兴尧;  于新
Adobe PDF(727Kb)  |  Favorite  |  View/Download:38/0  |  Submit date:2018/07/24
质子  电荷耦合器件  辐射效应  注量率  缺陷  
γ射线及质子辐照导致CCD光谱响应退化的机制 期刊论文
发光学报, 2018, 卷号: 39, 期号: 2, 页码: 244-250
Authors:  文林;  李豫东;  郭旗;  汪朝敏
Adobe PDF(1365Kb)  |  Favorite  |  View/Download:61/0  |  Submit date:2018/03/13
电荷耦合器件  电离效应  位移损伤  光谱响应  
不同偏置状态下4T-CMOS图像传感器的总剂量辐射效应 期刊论文
红外与激光工程, 2018, 卷号: 47, 期号: 10, 页码: 316-320
Authors:  马林东;  李豫东;  郭旗;  文林;  周东;  冯婕
Adobe PDF(377Kb)  |  Favorite  |  View/Download:55/0  |  Submit date:2018/11/19
Cmos有源像素传感器  总剂量效应  暗电流  
科学级帧转移电荷耦合成像器件位移损伤效应与机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2017
Authors:  曾骏哲
Adobe PDF(3212Kb)  |  Favorite  |  View/Download:57/0  |  Submit date:2017/09/26
电荷耦合器件  位移损伤  位移缺陷  低温测试  仿真模拟