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γ辐照下4T CMOS有源像素传感器的满阱容量退化机理 期刊论文
现代应用物理, 2019, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 64-68
Authors:  蔡毓龙;  李豫东;  郭旗;  文林;  周东;  冯婕;  马林东;  张翔
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图像传感器  CMOS  满阱容量  电离总剂量效应  
空间重粒子入射屏蔽材料的蒙特卡罗模拟 期刊论文
载人航天, 2019, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 159-163
Authors:  荀明珠;  何承发;  郑玉展
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Geant4  屏蔽材料  MIRD  人体模型  深度剂量分布  
空间高能粒子对纳米器件栅介质可靠性影响的研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2018
Authors:  马腾
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金属氧化物半导体  辐射效应  可靠性  辐射诱导泄漏电流  介质经时击穿  
LiMgPO4:Re3+ 材料的制备及其在辐射剂量测量方面的应用 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2018
Authors:  孔熙瑞
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Limgpo4  稀土元素:光激励发光  辐射检测  
质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响 期刊论文
现代应用物理, 2018, 卷号: 8, 期号: 4
Authors:  马腾;  崔江维;  郑齐文;  魏莹;  赵京昊;  梁晓雯;  余学峰;  郭旗
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辐射诱导泄漏电流  栅氧经时击穿  可靠性  质子辐照  部分耗尽soi  
科学级帧转移电荷耦合成像器件位移损伤效应与机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2017
Authors:  曾骏哲
Adobe PDF(3212Kb)  |  Favorite  |  View/Download:57/0  |  Submit date:2017/09/26
电荷耦合器件  位移损伤  位移缺陷  低温测试  仿真模拟  
γ射线和电子束对SOI MOSFET栅介质可靠性影响研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2017
Authors:  苏丹丹
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Mosfet  Tddb  辐射效应  可靠性  
行间转移电荷耦合器件位移损伤效应测试表征技术研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2017
Authors:  刘元
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电荷耦合器件  辐射损伤  位移损伤效应  温度效应  热像素  
基于X射线的晶圆级器件辐照与辐射效应参数提取设备的设计与实现 期刊论文
发光学报, 2017, 卷号: 38, 期号: 6, 页码: 828-834
Authors:  荀明珠;  李豫东;  郭旗;  何承发;  于新;  于钢;  文林;  张兴尧
Adobe PDF(1843Kb)  |  Favorite  |  View/Download:98/0  |  Submit date:2017/08/01
抗辐射加固  试验装置  晶圆级器件  X射线辐照  辐射效应  参数提取  
3T和4T-CMOS图像传感器空间辐射效应及损伤机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  汪波
Adobe PDF(3966Kb)  |  Favorite  |  View/Download:607/0  |  Submit date:2016/09/27
Cmos图像传感器  钳位光电二极管  电离总剂量效应  位移损伤效应  抗辐射加固