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工艺条件对双极晶体管低剂量率辐射损伤增强效应的影响 期刊论文
原子能科学技术, 2010, 卷号: 44, 期号: 1, 页码: 114-120
Authors:  陆妩;  郑玉展;  任迪远;  郭旗;  余学峰
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双极晶体管  60coγ辐照  剂量率效应  发射极面积  掺杂浓度  
10位双极模数转换器的电离辐射效应 会议论文
, 贵阳, 2010-08-13
Authors:  陈睿;  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  王义元;  费武雄;  李茂顺;  兰博;  崔江维
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双极模数转换器  电离辐射效应  退火效应  
双极线性集成电路的低剂量率辐射损伤增强效应及其加速评估方法研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2006
Authors:  高嵩
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双极线性集成电路  低剂量率  辐射损伤  加速评估方法  Eldrs  
JFET输入运算放大器不同剂量率的辐照和退火特性 期刊论文
核技术, 2005, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 755-760
Authors:  陆妩;  任迪远;  郭旗;  余学峰;  艾尔肯
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Jfet输入双极运算放大器  60coγ辐照  剂量率效应  退火  
双极晶体管不同剂量率的辐射效应和退火特性 期刊论文
核技术, 2005, 卷号: 28, 期号: 12, 页码: 925-928
Authors:  陆妩;  余学锋;  任迪远;  艾尔肯;  郭旗
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双极晶体管  60coγ辐照  剂量率效应  退火  
运算放大器不同剂量率的辐射损伤效应 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: 1464-1468
Authors:  陆妩;  任迪远;  郭旗;  余学峰;  艾尔肯
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运算放大器  60coγ辐照  退火  剂量率效应  
不同剂量率下偏置对双极晶体管电离辐照效应的影响 期刊论文
微电子学, 2004, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 606-608
Authors:  张华林;  陆妩;  任迪远;  崔帅
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双极晶体管  偏置  剂量率  电离辐照  
双极晶体管的低剂量率电离辐射效应 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 12, 页码: 1675-1679
Authors:  张华林;  陆妩;  任迪远;  郭旗;  余学锋;  何承发;  艾尔肯;  崔帅
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低剂量率  电离辐射  双极晶体管  空间电荷