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γ射线和电子束对SOI MOSFET栅介质可靠性影响研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2017
Authors:  苏丹丹
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Mosfet  Tddb  辐射效应  可靠性  
行间转移电荷耦合器件位移损伤效应测试表征技术研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2017
Authors:  刘元
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电荷耦合器件  辐射损伤  位移损伤效应  温度效应  热像素  
InGaAs低维量子结构光电材料辐射效应研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  玛丽娅·黑尼
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Ingaas量子阱  量子点  辐射效应  位移损伤  
3T和4T-CMOS图像传感器空间辐射效应及损伤机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  汪波
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Cmos图像传感器  钳位光电二极管  电离总剂量效应  位移损伤效应  抗辐射加固  
混合工艺DAC及ADC的总剂量效应研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  王信
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60Co-γ射线和电子束对CCD辐射效应的比较研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  武大猷
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电荷耦合器件  60co-γ辐照  电子辐照  辐射损伤  低剂量率损伤增强效应  
CMOS图像传感器辐射效应的测试技术 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  王帆
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Cmos图像传感器  测试方法  辐射效应  电离总剂量效应  位移损伤效应  Rts噪声  
CCD空间累积辐射效应及损伤机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2015
Authors:  文林
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电荷耦合器件  电离总剂量效应  位移效应  损伤机理  敏感参数  基本单元  
静态随机存储器总剂量辐射损伤机制及试验方法研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2015
Authors:  郑齐文
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大规模集成电路  总剂量辐射  静态随机存储器  损伤机制  试验方法  
0.5μm工艺CMOS有源像素传感器的总剂量辐射效应 期刊论文
发光学报, 2015, 卷号: 36, 期号: 2, 页码: 242-248
Authors:  汪波;  李豫东;  郭旗;  刘昌举;  文林;  孙静;  玛丽娅
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电离总剂量辐射效应  Cmos有源像素传感器  饱和输出信号  像素单元结构  Locos隔离