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静态随机存储器总剂量辐射效应及损伤机理的研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
Authors:  卢健
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Sram  大规模集成电路  不同偏置  总剂量辐射效应  辐射损伤  
不同偏置下CMOS SRAM辐射损伤效应 期刊论文
核技术, 2012, 卷号: 35, 期号: 8, 页码: 601-605
Authors:  卢健;  余学峰;  李明;  张乐情;  崔江维;  郑齐文;  胥佳灵
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静态随机存储器  总剂量效应  不同偏置条件  辐射损伤  印记现象