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行间转移电荷耦合器件位移损伤效应测试表征技术研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2017
Authors:  刘元
Adobe PDF(1699Kb)  |  Favorite  |  View/Download:37/0  |  Submit date:2017/09/26
电荷耦合器件  辐射损伤  位移损伤效应  温度效应  热像素  
星用纳米MOS器件的总剂量辐射效应与NBTI效应研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  余德昭
Adobe PDF(1666Kb)  |  Favorite  |  View/Download:143/0  |  Submit date:2016/09/27
Mosfet  辐射效应  Nbti  可靠性  
3T和4T-CMOS图像传感器空间辐射效应及损伤机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  汪波
Adobe PDF(3966Kb)  |  Favorite  |  View/Download:671/0  |  Submit date:2016/09/27
Cmos图像传感器  钳位光电二极管  电离总剂量效应  位移损伤效应  抗辐射加固  
电荷耦合器件中子辐照诱发的位移效应 期刊论文
发光学报, 2016, 卷号: 37, 期号: 1, 页码: 44-49
Authors:  汪波;  李豫东;  郭旗;  汪朝敏;  文林
Adobe PDF(762Kb)  |  Favorite  |  View/Download:127/1  |  Submit date:2016/03/01
电荷耦合器件  中子辐照  位移效应  电荷转移效率  暗信号  
超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应 期刊论文
物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 7, 页码: 258-263
Authors:  郑齐文;  崔江维;  王汉宁;  周航;  余徳昭;  魏莹;  苏丹丹
Adobe PDF(520Kb)  |  Favorite  |  View/Download:113/0  |  Submit date:2016/06/02
总剂量辐射效应  超深亚微米  金属氧化物半导体场效应晶体管  静态随机存储器  
Dose-rate sensitivity of deep sub-micro complementary metal oxide semiconductor process 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2016, 卷号: 65, 期号: 7
Authors:  Zheng, QW (Zheng Qi-Wen);  Cui, JW (Cui Jiang-Wei);  Wang, HN (Wang Han-Ning);  Zhou, H (Zhou Hang);  Yu, DZ (Yu De-Zhao);  Wei, Y (Wei Ying);  Su, DD (Su Dan-Dan)
Adobe PDF(406Kb)  |  Favorite  |  View/Download:66/0  |  Submit date:2016/12/12
Total Ionizing Dose Effects  Deep Sub-micron  Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor  Static Random Access Memory  
CCD空间累积辐射效应及损伤机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2015
Authors:  文林
Adobe PDF(3260Kb)  |  Favorite  |  View/Download:294/0  |  Submit date:2015/06/15
电荷耦合器件  电离总剂量效应  位移效应  损伤机理  敏感参数  基本单元  
静态随机存储器总剂量辐射损伤机制及试验方法研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2015
Authors:  郑齐文
Adobe PDF(7082Kb)  |  Favorite  |  View/Download:192/0  |  Submit date:2015/06/15
大规模集成电路  总剂量辐射  静态随机存储器  损伤机制  试验方法  
质子与中子辐照对电荷耦合器件暗信号参数的影响及其效应分析 期刊论文
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 19, 页码: 173-180
Authors:  曾骏哲;  李豫东;  文林;  何承发;  郭旗;  汪波;  玛丽娅;  魏莹;  王海娇;  武大猷;  王帆;  周航
Adobe PDF(648Kb)  |  Favorite  |  View/Download:123/1  |  Submit date:2016/06/07
电荷耦合器件  质子辐照  中子辐照  输运仿真  
CCD器件辐射损伤参数测试方法 期刊论文
上海航天, 2015, 卷号: 32, 期号: 2, 页码: 64-68
Authors:  葛钊;  陈佳杰;  李豫东;  吾勤之
Adobe PDF(563Kb)  |  Favorite  |  View/Download:106/0  |  Submit date:2015/06/26
辐射效应  参数测试方法  光谱响应