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高总剂量水平双极器件剂量率效应及加速评估试验方法的研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2018
Authors:  李小龙
Adobe PDF(3941Kb)  |  Favorite  |  View/Download:54/0  |  Submit date:2018/07/06
双极晶体管  剂量率效应  低剂量率损伤增强效应  损伤机制  变温加速评估方法  
国产pnp双极晶体管在宽总剂量范围辐照下的ELDRS 期刊论文
半导体技术, 2018, 卷号: 43, 期号: 5, 页码: 369-374
Authors:  魏昕宇;  陆妩;  李小龙;  王信;  孙静;  于新;  姚帅;  刘默寒;  郭旗
Adobe PDF(2030Kb)  |  Favorite  |  View/Download:185/0  |  Submit date:2018/06/13
国产pnp型双极晶体管  宽总剂量范围  低剂量率损伤增强效应(Eldrs)  辐射损伤  剂量率  
混合工艺DAC及ADC的总剂量效应研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  王信
Adobe PDF(4026Kb)  |  Favorite  |  View/Download:98/0  |  Submit date:2016/09/27
超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应 期刊论文
物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 7, 页码: 258-263
Authors:  郑齐文;  崔江维;  王汉宁;  周航;  余徳昭;  魏莹;  苏丹丹
Adobe PDF(520Kb)  |  Favorite  |  View/Download:113/0  |  Submit date:2016/06/02
总剂量辐射效应  超深亚微米  金属氧化物半导体场效应晶体管  静态随机存储器  
Dose-rate sensitivity of deep sub-micro complementary metal oxide semiconductor process 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2016, 卷号: 65, 期号: 7
Authors:  Zheng, QW (Zheng Qi-Wen);  Cui, JW (Cui Jiang-Wei);  Wang, HN (Wang Han-Ning);  Zhou, H (Zhou Hang);  Yu, DZ (Yu De-Zhao);  Wei, Y (Wei Ying);  Su, DD (Su Dan-Dan)
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Total Ionizing Dose Effects  Deep Sub-micron  Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor  Static Random Access Memory  
CCD空间累积辐射效应及损伤机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2015
Authors:  文林
Adobe PDF(3260Kb)  |  Favorite  |  View/Download:294/0  |  Submit date:2015/06/15
电荷耦合器件  电离总剂量效应  位移效应  损伤机理  敏感参数  基本单元  
典型运放、比较器的电离与位移辐射损伤效应 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2015
Authors:  姜柯
Adobe PDF(2075Kb)  |  Favorite  |  View/Download:275/0  |  Submit date:2015/06/15
60coγ辐照源  质子辐射  电子辐射  中子辐射  双极器件  辐射效应  
电子辐射环境中NPN输入双极运算放大器的辐射效应和退火特性 期刊论文
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 13, 页码: 302-308
Authors:  姜柯;  陆妩;  胡天乐;  王信;  郭旗;  何承发;  刘默涵;  李小龙
Adobe PDF(844Kb)  |  Favorite  |  View/Download:119/0  |  Submit date:2015/09/09
Npn输入双极运算放大器  电子辐射  辐射效应  退火  
Radiation damage effect and post-annealing treatments of NPN-input bipolar operational amplifier in electron radiation environment 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: 64, 期号: 13, 页码: 302-308
Authors:  Jiang, K (Jiang Ke);  Lu, W (Lu Wu);  Hu, TL (Hu Tian-Le);  Wang, X (Wang Xin);  Guo, Q (Guo Qi);  He, CF (He Cheng-Fa);  Liu, MH (Liu Mo-Han);  Li, XL (Li Xiao-Long)
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Npn-input Bipolar Operational Amplifier  Electron Radiation  Radiation Effect  Annealing  
新型非易失存储器电离辐射效应及机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2014
Authors:  张兴尧
Adobe PDF(2943Kb)  |  Favorite  |  View/Download:326/2  |  Submit date:2014/08/05
新型非易失存储器  传统非易失存储器  总剂量效应  辐射敏感参数