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CCD及CMOS图像传感器的质子位移损伤等效分析 期刊论文
现代应用物理, 2019, 卷号: 10, 期号: 2, 页码: 44-48
Authors:  于新;  荀明珠;  郭旗;  何承发;  李豫东;  文林;  张兴尧;  周东
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位移损伤效应  非电离能量损失  CCD  CMOS  
空间用四结键合太阳能电池子电池辐射效应研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2018
Authors:  赵晓凡
Adobe PDF(3195Kb)  |  Favorite  |  View/Download:109/0  |  Submit date:2018/07/06
四结键合太阳能电池  位移损伤  少子扩散长度  辐射效应  
CMOS图像传感器在质子辐照下产生热像素的规律与机理研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2018
Authors:  王田晖
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Cmos图像传感器  热像素  质子辐照  位移损伤  暗信号  
空间高能粒子对纳米器件栅介质可靠性影响的研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2018
Authors:  马腾
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金属氧化物半导体  辐射效应  可靠性  辐射诱导泄漏电流  介质经时击穿  
不同注量率质子辐照对CCD参数退化的影响分析 期刊论文
现代应用物理, 2018, 卷号: 9, 期号: 2, 页码: 67-70
Authors:  李豫东;  文林;  郭旗;  何承发;  周东;  冯婕;  张兴尧;  于新
Adobe PDF(727Kb)  |  Favorite  |  View/Download:42/0  |  Submit date:2018/07/24
质子  电荷耦合器件  辐射效应  注量率  缺陷  
质子辐射导致CCD热像素产生的机制研究 期刊论文
微电子学, 2018, 卷号: 48, 期号: 1, 页码: 115-119+125
Authors:  刘元;  文林;  李豫东;  何承发;  郭旗;  孙静;  冯婕;  曾俊哲;  马林东;  张翔;  王田珲
Adobe PDF(756Kb)  |  Favorite  |  View/Download:45/0  |  Submit date:2018/03/19
电荷耦合器件  质子辐射效应  热像素  
基于p‑i‑n结构的位移损伤剂量探测方法 专利
专利类型: 发明专利, 公开号: CN104459372B, 公开日期: 2017-09-01,
Inventors:  于新;  何承发;  施炜雷;  郭旗;  文林;  张兴尧;  孙静;  李豫东
Favorite  |  View/Download:2/0  |  Submit date:2019/08/09
辐射环境下的微纳米器件可靠性变化机理与试验方法研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2017
Authors:  周航
Adobe PDF(3489Kb)  |  Favorite  |  View/Download:62/0  |  Submit date:2017/09/26
Cmos  热载流子  辐射效应  重离子辐照  Tddb  
科学级帧转移电荷耦合成像器件位移损伤效应与机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2017
Authors:  曾骏哲
Adobe PDF(3212Kb)  |  Favorite  |  View/Download:58/0  |  Submit date:2017/09/26
电荷耦合器件  位移损伤  位移缺陷  低温测试  仿真模拟  
正向晶格失配三结GaAs太阳电池辐射效应研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2017
Authors:  李占行
Adobe PDF(2989Kb)  |  Favorite  |  View/Download:68/0  |  Submit date:2017/09/26
晶格失配  位移损伤效应  位移损伤剂量  非电离能损  辐照退化