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SiGe HBT单粒子效应敏感区域分布与加固设计研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2015
Authors:  李培
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不同结构sige Hbt  单粒子效应  三维数值模拟仿真  激光微束试验  伪集电极加固  
锗硅异质结双极晶体管单粒子效应加固设计与仿真 期刊论文
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 11, 页码: 415-421
Authors:  李培;  郭红霞;  郭旗;  文林;  崔江维;  王信;  张晋新
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锗硅异质结双极晶体管  单粒子效应  加固设计  伪集电极  
Simulation and sesign of single event effect radiation hardening for SiGe heterojunction bipolar transistor 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: 64, 期号: 11
Authors:  Li, P (Li Pei);  Guo, HX (Guo Hong-Xia);  Guo, Q (Guo Qi);  Wen, L (Wen Lin);  Cui, JW (Cui Jiang-Wei);  Wang, X (Wang Xin);  Zhang, JX (Zhang Jin-Xin)
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Sige Heterojunction Bipolar Transistor  Single Event Effect  Hardening Design  Dummy Collector  
基于仿真的锗硅异质结双极晶体管抗单粒子效应加固方法 专利
专利类型: 发明专利, 公开号: CN104133974A, 公开日期: 2014-11-05,
Inventors:  郭红霞;  郭旗;  李培;  文林;  王信;  刘默寒;  崔江维;  陆妩;  余学峰;  何承发
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