XJIPC OpenIR  > 固体辐射物理研究室
一种提高器件抗电离辐射总剂量效应的方法
郭红霞; 陈伟; 郭旗; 何承发; 罗尹虹; 文林; 王玲; 张凤祁; 赵雯; 肖尧
2014-08-20
Rights Holder中国科学院新疆理化技术研究所
Subtype发明专利
Abstract

本发明涉及一种提高器件抗电离辐射总剂量效应的方法,包括以下步骤:1)制作单层结构复合材料:2)制作多层结构复合材料:3)测量电子束在复合材料中的透射系数:4)采用蒙特卡洛粒子输运方法模拟计算材料的理论透射系数:5)修正电子透射系数;6)采用屏蔽效果最好的复合材料,在器件的相应芯片处进行二次封装。本发明在保证屏蔽效果最好的同时,使封装质量最小,可提高航天器器件抗电离辐射总剂量效应。

Application Date2014-05-22
Application NumberCN201410220512.9
Open (Notice) NumberCN103996673A
Agency西安智邦专利商标代理有限公司 61211
Document Type专利
Identifierhttp://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/6806
Collection固体辐射物理研究室
Recommended Citation
GB/T 7714
郭红霞,陈伟,郭旗,等. 一种提高器件抗电离辐射总剂量效应的方法. CN103996673A[P]. 2014-08-20.
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