XJIPC OpenIR  > 固体辐射物理研究室
一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法
崔江维; 郑齐文; 魏莹; 孙静; 余学峰; 郭旗; 陆妩; 何承发; 任迪远
2018-05-15
Rights Holder中国科学院新疆理化技术研究所
Subtype发明专利
Abstract

本发明涉及一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法,该方法是由试验样品分组及测试参数选择;试验样品的总剂量辐照及退火试验;试验样品的负偏压温度不稳定性测量组成,为了保证试验结果的一致性和准确性,首先将样品分为预辐照组、对比组及两个摸底试验组,在摸底试验的基础上对预辐照组开展确定条件下总剂量辐照和退火试验,再将对比组和预辐照组开展相同条件下的负偏压温度不稳定性试验,对比试验结果,获得总剂量辐照对样品负偏压温度不稳定性的影响。本发明提供的方法能够表征总剂量辐照对P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管负偏压温度不稳定性的影响。

Application Date2017-12-13
Application NumberCN201711329107.0
Open (Notice) NumberCN108037438A
Agency乌鲁木齐中科新兴专利事务所 65106
Document Type专利
Identifierhttp://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/6484
Collection固体辐射物理研究室
Recommended Citation
GB/T 7714
崔江维,郑齐文,魏莹,等. 一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法. CN108037438A[P]. 2018-05-15.
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