CCD及CMOS图像传感器的质子位移损伤等效分析
于新; 荀明珠; 郭旗; 何承发; 李豫东; 文林; 张兴尧; 周东
2019
Source Publication现代应用物理
ISSN2095-6223
Volume10Issue:2Pages:44-48
Abstract

对位移损伤敏感器件CCD及CMOS图像传感器进行了3,10,23 MeV质子辐照试验,获得了电荷转移效率及暗电流退化程度分别随非电离能量损失(NIEL)变化的线性关系,验证了基于NIEL的位移损伤等效方法的可行性。为准确预测抗辐射加固工程中,器件屏蔽结构带来的能量崎离、次级粒子等非理想因素对器件参数退化的影响,利用Geant4计算了不同质子能量下的NIEL值。结果表明,随着质子能量降低,计算得到的NIEL值与解析法给出的理想NIEL值的差异增大。因此,对于结构复杂的器件,有必要建立器件结构模型,以便准确计算NIEL。

Keyword位移损伤效应 非电离能量损失 CCD CMOS
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/6303
Collection中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室
Affiliation1.中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室
2.中国科学院新疆理化技术研究所
3.新疆电子信息材料与器件重点实验室
Recommended Citation
GB/T 7714
于新,荀明珠,郭旗,等. CCD及CMOS图像传感器的质子位移损伤等效分析[J]. 现代应用物理,2019,10(2):44-48.
APA 于新.,荀明珠.,郭旗.,何承发.,李豫东.,...&周东.(2019).CCD及CMOS图像传感器的质子位移损伤等效分析.现代应用物理,10(2),44-48.
MLA 于新,et al."CCD及CMOS图像传感器的质子位移损伤等效分析".现代应用物理 10.2(2019):44-48.
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