γ辐照下4T CMOS有源像素传感器的满阱容量退化机理
蔡毓龙; 李豫东; 郭旗; 文林; 周东; 冯婕; 马林东; 张翔
2019
Source Publication现代应用物理
ISSN2095-6223
Volume10Issue:1Pages:64-68
Abstract

用60Coγ射线对国产0.18μm科学级4T互补金属氧化物半导体(CMOS)有源像素图像传感器进行电离总剂量辐照试验,研究了动态偏置下满阱容量的变化规律。试验的吸收剂量率为50rad(Si)·s-1,测试点的吸收剂量分别为10,30,50,100,150,200,350krad(Si)。结果表明,随着吸收剂量的增大,满阱容量发生了明显退化。根据提出的钳位光电二极管(PPD)满阱容量计算模型,对实验结果进行了分析。结果表明,辐照导致PPD沟道所能达到的最小电势和PPD电容的变化是引起满阱容量退化的主要原因。

Keyword图像传感器 CMOS 满阱容量 电离总剂量效应
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/5716
Collection中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室
Affiliation1.中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室
2.中国科学院新疆理化技术研究所
3.新疆电子信息材料与器件重点实验室
4.中国科学院大学
Recommended Citation
GB/T 7714
蔡毓龙,李豫东,郭旗,等. γ辐照下4T CMOS有源像素传感器的满阱容量退化机理[J]. 现代应用物理,2019,10(1):64-68.
APA 蔡毓龙.,李豫东.,郭旗.,文林.,周东.,...&张翔.(2019).γ辐照下4T CMOS有源像素传感器的满阱容量退化机理.现代应用物理,10(1),64-68.
MLA 蔡毓龙,et al."γ辐照下4T CMOS有源像素传感器的满阱容量退化机理".现代应用物理 10.1(2019):64-68.
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