3MeV质子辐照下背照式CMOS图像传感器固定模式噪声的退化行为
张翔; 李豫东; 郭旗; 文林; 周东; 冯婕; 马林东; 蔡毓龙; 王志铭
2019
Source Publication现代应用物理
ISSN2095-6223
Volume10Issue:1Pages:50-53
Abstract

用能量为3MeV的质子对一款国产背照式CMOS图像传感器进行了辐照试验,得到了该传感器的固定模式噪声随质子注量和退火温度的变化情况。结果表明,3MeV质子辐照后,固定模式噪声有所退化;100℃退火后,固定模式噪声有明显恢复。退化原因主要是浮置扩散结构中位移缺陷引起的暗信号发生了非均匀性变化。此外,受工艺因素限制,读出电路晶体管中的SiO2-Si界面状态在各个像素单元中不一致,导致辐照后电离总剂量效应诱发的界面态陷阱电荷使各个像素单元中读出电路参数的退化情况不同,是固定模式噪声退化的另一个原因。

Keyword背照式CMOS图像传感器 3MeV质子 固定模式噪声 位移效应 电离总剂量效应
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/5715
Collection中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室
Affiliation1.中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室
2.中国科学院新疆理化技术研究所
3.新疆电子信息材料与器件重点实验室
4.中国科学院大学
Recommended Citation
GB/T 7714
张翔,李豫东,郭旗,等. 3MeV质子辐照下背照式CMOS图像传感器固定模式噪声的退化行为[J]. 现代应用物理,2019,10(1):50-53.
APA 张翔.,李豫东.,郭旗.,文林.,周东.,...&王志铭.(2019).3MeV质子辐照下背照式CMOS图像传感器固定模式噪声的退化行为.现代应用物理,10(1),50-53.
MLA 张翔,et al."3MeV质子辐照下背照式CMOS图像传感器固定模式噪声的退化行为".现代应用物理 10.1(2019):50-53.
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