不同偏置状态下4T-CMOS图像传感器的总剂量辐射效应
马林东; 李豫东; 郭旗; 文林; 周东; 冯婕
2018
发表期刊红外与激光工程
ISSN1007-2276
卷号47期号:10页码:316-320
摘要

对不同偏置状态下的国产科学级0.18μm工艺掩埋型4T-CMOS有源像素图像传感器进行钴-60γ射线辐照和退火实验,研究总剂量效应对图像传感器的性能影响,并观察是否存在总剂量偏置效应。着重分析暗电流、满阱容量等参数随累积剂量的变化规律。实验结果表明随着辐照总剂量累加,暗电流前期缓慢增长,之后退化明显加剧,这主要是由于辐照致界面态和氧化物陷阱电荷密度增加。4T-CMOS图像传感器的暗电流主要由来源于STI界面,而辐照导致耗尽区展宽与STI接触使得暗电流增长加剧,同时,辐照导致的耗尽区展宽也引起满阱容量的下降。并且在4T-CMOS图像传感器的实验中没有发现明显的总剂量偏置效应。

关键词Cmos有源像素传感器 总剂量效应 暗电流
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/5624
专题中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室
材料物理与化学研究室
作者单位1.中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室
2.新疆电子信息材料与器件重点实验室
3.中国科学院大学
推荐引用方式
GB/T 7714
马林东,李豫东,郭旗,等. 不同偏置状态下4T-CMOS图像传感器的总剂量辐射效应[J]. 红外与激光工程,2018,47(10):316-320.
APA 马林东,李豫东,郭旗,文林,周东,&冯婕.(2018).不同偏置状态下4T-CMOS图像传感器的总剂量辐射效应.红外与激光工程,47(10),316-320.
MLA 马林东,et al."不同偏置状态下4T-CMOS图像传感器的总剂量辐射效应".红外与激光工程 47.10(2018):316-320.
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