不同注量率质子辐照对CCD参数退化的影响分析
李豫东; 文林; 郭旗; 何承发; 周东; 冯婕; 张兴尧; 于新
2018
Source Publication现代应用物理
ISSN2095-6223
Volume9Issue:2Pages:67-70
Other Abstract

对一款CCD进行了3 MeV质子辐照试验和退火试验,获得了2种注量率质子辐照下CCD参数的退化规律,分析了CCD产生缺陷与质子注量率之间的关系。研究表明:不同注量率质子辐照下,CCD中产生的位移损伤缺陷存在差异,但CCD的暗信号和电荷转移效率没有明显改变,且室温退火后,不同质子注量率辐照下,CCD受到的辐射损伤差异更小。研究结果可为揭示地面模拟实验中质子入射CCD产生缺陷的机制、影响因素及建立质子辐射效应损伤模型提供理论与试验方法的支撑。

Keyword质子 电荷耦合器件 辐射效应 注量率 缺陷
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/5493
Collection中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室
材料物理与化学研究室
Affiliation1.中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室
2.新疆电子信息材料与器件重点实验室
3.中国科学院新疆理化技术研究所
Recommended Citation
GB/T 7714
李豫东,文林,郭旗,等. 不同注量率质子辐照对CCD参数退化的影响分析[J]. 现代应用物理,2018,9(2):67-70.
APA 李豫东.,文林.,郭旗.,何承发.,周东.,...&于新.(2018).不同注量率质子辐照对CCD参数退化的影响分析.现代应用物理,9(2),67-70.
MLA 李豫东,et al."不同注量率质子辐照对CCD参数退化的影响分析".现代应用物理 9.2(2018):67-70.
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