质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响
马腾; 崔江维; 郑齐文; 魏莹; 赵京昊; 梁晓雯; 余学峰; 郭旗
2018
发表期刊现代应用物理
卷号8期号:4
摘要

利用10 MeV质子对130nm部分耗尽SOI MOS器件进行辐照,测试了在不同辐照吸收剂量下,器件的辐射诱导泄漏电流和栅氧经时击穿寿命等参数,分析了质子辐照对器件TDDB可靠性的影响。结果表明:质子辐照器件时,在Si-SiO2界面产生的界面陷阱电荷,增加了电子跃迁的势垒高度,减少了电荷向栅极的注入,减小了器件的RILC,增加了器件的TDDB寿命。

关键词辐射诱导泄漏电流 栅氧经时击穿 可靠性 质子辐照 部分耗尽soi
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/5483
专题中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室
材料物理与化学研究室
作者单位1.中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室
2.中国科学院新疆理化技术研究所
3.新疆电子信息材料与器件重点实验室
4.中国科学院大学
推荐引用方式
GB/T 7714
马腾,崔江维,郑齐文,等. 质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响[J]. 现代应用物理,2018,8(4).
APA 马腾.,崔江维.,郑齐文.,魏莹.,赵京昊.,...&郭旗.(2018).质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响.现代应用物理,8(4).
MLA 马腾,et al."质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响".现代应用物理 8.4(2018).
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
质子辐照对130nm部分耗尽SOI MO(793KB)期刊论文作者接受稿开放获取CC BY-NC-SA浏览 请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[马腾]的文章
[崔江维]的文章
[郑齐文]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[马腾]的文章
[崔江维]的文章
[郑齐文]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[马腾]的文章
[崔江维]的文章
[郑齐文]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
文件名: 质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响.pdf
格式: Adobe PDF
此文件暂不支持浏览
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。