质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响
马腾; 崔江维; 郑齐文; 魏莹; 赵京昊; 梁晓雯; 余学峰; 郭旗
2018
Source Publication现代应用物理
Volume8Issue:4
Abstract

利用10 MeV质子对130nm部分耗尽SOI MOS器件进行辐照,测试了在不同辐照吸收剂量下,器件的辐射诱导泄漏电流和栅氧经时击穿寿命等参数,分析了质子辐照对器件TDDB可靠性的影响。结果表明:质子辐照器件时,在Si-SiO2界面产生的界面陷阱电荷,增加了电子跃迁的势垒高度,减少了电荷向栅极的注入,减小了器件的RILC,增加了器件的TDDB寿命。

Keyword辐射诱导泄漏电流 栅氧经时击穿 可靠性 质子辐照 部分耗尽soi
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/5483
Collection中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室
材料物理与化学研究室
Affiliation1.中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室
2.中国科学院新疆理化技术研究所
3.新疆电子信息材料与器件重点实验室
4.中国科学院大学
Recommended Citation
GB/T 7714
马腾,崔江维,郑齐文,等. 质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响[J]. 现代应用物理,2018,8(4).
APA 马腾.,崔江维.,郑齐文.,魏莹.,赵京昊.,...&郭旗.(2018).质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响.现代应用物理,8(4).
MLA 马腾,et al."质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响".现代应用物理 8.4(2018).
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