沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究
崔江维; 郑齐文; 余德昭; 周航; 苏丹丹; 马腾; 魏莹; 余学峰; 郭旗
2018
发表期刊电子学报
ISSN0372-2112
卷号46期号:5页码:1128-1132
摘要

随着MOS器件尺寸缩小,可靠性效应成为限制器件寿命的突出问题.PMOS晶体管的负偏压温度不稳定性(NBTI)是其中关键问题之一.NBTI效应与器件几何机构密切相关.本文对不同宽长比的65nm工艺PMOSFET晶体管开展了NBTI试验研究.获得了NBTI效应引起的参数退化与器件结构的依赖关系,试验结果表明65nm PMOSFET的NBTI损伤随沟道宽度减小而增大.通过缺陷电荷分析和仿真的方法,从NBTI缺陷产生来源和位置的角度,揭示了产生该结果的原因.指出浅槽隔离(STI)区域的电场和缺陷电荷是导致该现象的主要原因.研究结果为器件可靠性设计提供了参考.

关键词65nm 负偏压温度不稳定性 沟道宽度
收录类别CSCD
CSCD记录号CSCD:6268827
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文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/5412
专题中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室
材料物理与化学研究室
作者单位1.中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室
2.新疆电子信息材料与器件重点实验室
3.中国科学院新疆理化技术研究所
4.中国科学院大学
推荐引用方式
GB/T 7714
崔江维,郑齐文,余德昭,等. 沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究[J]. 电子学报,2018,46(5):1128-1132.
APA 崔江维.,郑齐文.,余德昭.,周航.,苏丹丹.,...&郭旗.(2018).沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究.电子学报,46(5),1128-1132.
MLA 崔江维,et al."沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究".电子学报 46.5(2018):1128-1132.
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