国产pnp双极晶体管在宽总剂量范围辐照下的ELDRS
魏昕宇; 陆妩; 李小龙; 王信; 孙静; 于新; 姚帅; 刘默寒; 郭旗
2018
Source Publication半导体技术
ISSN1003-353X
Volume43Issue:5Pages:369-374
Abstract

研究了不同偏置条件下国产商用pnp型双极晶体管在宽总剂量范围内的辐射损伤特性和变化规律。实验结果表明,在100 rad(Si)/s和0.01 rad(Si)/s剂量率辐照下,总累计剂量达到200 krad(Si)时,这一宽总剂量范围内辐射损伤趋势均随着总剂量值不断累积而增大,且并未出现饱和。相同剂量率辐照下,发射结施加反偏状态时国产商用pnp双极晶体管的过剩基极电流变化最大,正偏下最小,零偏介于二者之间。两款晶体管均表现出明显的低剂量率损伤增强效应(ELDRS),且在反偏下ELDRS更显著。并对出现这一实验结果的损伤机理进行了探讨。

Keyword国产pnp型双极晶体管 宽总剂量范围 低剂量率损伤增强效应(Eldrs) 辐射损伤 剂量率
DOI10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.05.008
Indexed ByCSCD
CSCD IDCSCD:6231290
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/5395
Collection新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室
材料物理与化学研究室
Affiliation1.新疆大学物理科学与技术学院
2.中国科学院新疆理化技术研究所
3.新疆电子信息材料与器件重点实验室
4.中国科学院大学
Recommended Citation
GB/T 7714
魏昕宇,陆妩,李小龙,等. 国产pnp双极晶体管在宽总剂量范围辐照下的ELDRS[J]. 半导体技术,2018,43(5):369-374.
APA 魏昕宇.,陆妩.,李小龙.,王信.,孙静.,...&郭旗.(2018).国产pnp双极晶体管在宽总剂量范围辐照下的ELDRS.半导体技术,43(5),369-374.
MLA 魏昕宇,et al."国产pnp双极晶体管在宽总剂量范围辐照下的ELDRS".半导体技术 43.5(2018):369-374.
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