XJIPC OpenIR  > 材料物理与化学研究室
空间环境的低剂量辐射损伤增强效应研究
任迪远; 陆妩; 余学峰; 郭旗; 艾尔肯
2004
会议名称空间环境及其应用专题研讨会
会议日期2004-09
会议地点中国广西北海
摘要在空间辐射环境中,辐照总剂量的积累是一个较缓慢的过程,其典型剂量率分布范围为10-4—10-2rad(Si)/s,而考虑到时间、经费等因素,实验室辐照试验根据美国军标的要求,实际使用的典型辐照剂量率范围一般为50-300rad(Si)/s。这种试验剂量率与实际空间剂量率的差异,将有可能使得电子器件和电路在实验室测试评判得到的器件的抗辐照水平与在卫星、空间站等小剂量率辐照环境下使用的电子元器件的实际抗辐射能力严重不符, 从而给卫星、空间站等电子系统的可靠性带来极大隐患。许多试验结果也证实了这种担心并非祀人忧天。国外研究报道, 在1 0一4一10一Zar d (S i ) / S的剂量率范围内, 某些双极器件的辐射敏感度与高剂量率相比, 可达几十倍以上, 这不能不引起人们、尤其是航天领域的严重关注。
主办者中科院空间环境研究预报中心
文献类型会议论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/5365
专题材料物理与化学研究室
作者单位中国科学院新疆理化技术研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
任迪远,陆妩,余学峰,等. 空间环境的低剂量辐射损伤增强效应研究[C],2004.
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