CMOS有源像素图像传感器的电子辐照损伤效应研究
玛丽娅; 李豫东; 郭旗; 刘昌举; 文林; 汪波
2014
会议名称第十七届全国核电子学与核探测技术学术年会
会议日期2014-08-13
会议地点中国甘肃兰州
摘要

对某国产CMOS图像传感器进行了1MeV、1.8MeV两种不同能量的电子辐照试验,分析了器件的电子辐照效应与损伤机理。辐照等效电离剂量为70krad(Si),在辐照前后及退火过程中采用离线测量方法,重点考察了暗信号、饱和电压、光谱响应特性等参数。实验结果表明:暗信号和暗信号非均匀性都随着辐照剂量的增加及高温退火而增大;饱和电压在两种能量电子辐照下均出现较大幅度的减小,并在高温退火过程中有所恢复;光 谱响应特性无特别明显变化。经分析,暗电流、饱和电压的变化主要由辐照诱发的氧化物陷阱电荷所致的光敏二极管耗尽层展宽和界面陷阱电荷密度增加导致产生-复合中心的增加所引起。

关键词Cmos有源像素传感器 电子辐照 电离效应 暗电流 氧化物陷阱电荷 界面态缺陷
文献类型会议论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/5354
专题中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室
作者单位1.中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室
2.新疆电子信息材料与器件重点实验室
3.中国科学院新疆理化技术研究所
4.重庆光电技术研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
玛丽娅,李豫东,郭旗,等. CMOS有源像素图像传感器的电子辐照损伤效应研究[C],2014.
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