质子辐照导致科学级CCD电离和位移损伤及其机理分析
文林; 李豫东; 郭旗; 任迪远; 汪波; 玛丽娅
2014
会议名称第十七届全国核电子学与核探测技术学术年会
会议日期2014-08-13
会议地点中国甘肃兰州
摘要对某国产埋沟科学级CCD进行了10MeV质子辐照试验研究,试验过程中重点考察了器件的暗信号、电荷转移效率特性的变化。结果表明,器件的主要性能参数随着质子辐照注量的增大明显退化,在退火过程中这些参数均有不同程度的恢复。对CCD敏感参数退化规律及其与器件工艺、结构的相关性进行了分析,并推导了参数退化随质子辐照注量变化的经验公式。上述工作可为深入开展CCD抗辐射性能预测、抗辐射工艺改进与结构优化提供重要参考。
关键词Ccd 质子辐照 电离效应 位移损伤 体缺陷
文献类型会议论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/5348
专题中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室
材料物理与化学研究室
作者单位1.中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室
2.新疆电子信息材料与器件重点实验室
3.中国科学院新疆理化技术研究所
4.中国科学院大学
推荐引用方式
GB/T 7714
文林,李豫东,郭旗,等. 质子辐照导致科学级CCD电离和位移损伤及其机理分析[C],2014.
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