1.8MeV电子辐照AlGaN基p-i-n日盲型光探测器的辐射效应研究
李豫东; 郭旗; 罗木昌; 张孝富; 文林; 汪波
2014
会议名称第十七届全国核电子学与核探测技术学术年会
会议日期2014-08-13
会议地点中国甘肃兰州
摘要本文研究了1.8MeV电子束辐照下,高铝组分Al0.5Ga0.5N基p-i-n日盲型光探测器的辐射效应,获得了器件的I-V特性和C-V特性受辐照后的变化关系,分析了器件参数的退化机理。试验发现器件受电子辐照后耗尽区的复合电流显著退化,尤其是当辐照剂量达到1016e/cm2时,器件的复合电流迅速增大,试验中还观察到了反向击穿电压和暗电流具有类似的退化情况。对于器件的C-V特性,随着电子辐照剂量的增大,电容逐渐增大。分析认为器件参数的退化主要是由于电子辐照在材料中引入的浅缺陷能级造成。
关键词Algan日盲型光探测器 电子辐照 I-v特性 C-v特性
文献类型会议论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/5346
专题中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室
材料物理与化学研究室
作者单位1.中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室
2.新疆电子信息材料与器件重点实验室
3.中国科学院新疆理化技术研究所
4.重庆光电技术研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
李豫东,郭旗,罗木昌,等. 1.8MeV电子辐照AlGaN基p-i-n日盲型光探测器的辐射效应研究[C],2014.
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