总剂量辐射对65 nm NMOSFET热载流子敏感参数的影响
苏丹丹; 周航; 郑齐文; 崔江维; 孙静; 马腾; 魏莹; 余学峰; 郭旗
2018
发表期刊微电子学
ISSN1004-3365
卷号48期号:1页码:126-130
其他摘要

为了研究总剂量辐射对纳米MOS晶体管热载流子效应的影响,对65nm体硅工艺的NMOS器件进行了总剂量辐射和热载流子试验,对比了辐射前后不同宽长比器件的跨导、栅极泄漏电流、线性饱和电流等电参数。结果表明,MOS器件的沟道宽度越窄,热载流子效应受辐射的影响越显著,总剂量辐射后热载流子效应对器件的损伤增强。分析认为,辐射在STI中引入的陷阱电荷是导致以上现象的主要原因。该研究结果为辐射环境下器件的可靠性评估提供了依据。

关键词65 Nm Nmosfet 总剂量效应 热载流子效应
DOI10.13911/j.cnki.1004-3365.170138
收录类别CSCD
CSCD记录号CSCD:6177471
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文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/5249
专题中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室
作者单位1.中国科学院新疆理化技术研究所新疆电子信息材料与器件重点实验室
2.中国科学院大学材料科学与光电技术学院
推荐引用方式
GB/T 7714
苏丹丹,周航,郑齐文,等. 总剂量辐射对65 nm NMOSFET热载流子敏感参数的影响[J]. 微电子学,2018,48(1):126-130.
APA 苏丹丹.,周航.,郑齐文.,崔江维.,孙静.,...&郭旗.(2018).总剂量辐射对65 nm NMOSFET热载流子敏感参数的影响.微电子学,48(1),126-130.
MLA 苏丹丹,et al."总剂量辐射对65 nm NMOSFET热载流子敏感参数的影响".微电子学 48.1(2018):126-130.
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