质子辐射导致CCD热像素产生的机制研究
刘元; 文林; 李豫东; 何承发; 郭旗; 孙静; 冯婕; 曾俊哲; 马林东; 张翔; 王田珲
2018
发表期刊微电子学
ISSN1004-3365
卷号48期号:1页码:115-119+125
其他摘要

空间高能质子作用于电荷耦合器件(CCD)产生的热像素是空间成像系统性能退化的主要原因之一。为深入认识质子辐射导致CCD产生热像素的规律和机制,对行间转移CCD进行了不同能量(3,10,23MeV)的质子辐射试验,研究了辐射导致CCD暗信号的退化和热像素产生的规律。试验结果表明,在较低辐射注量1E9p/cm~2下,CCD的暗信号退化很小,但热像素急剧增加。质子辐射能量越大,产生的热像素数量越多。结合粒子输运计算与理论分析表明,热像素产生原因是质子与半导体材料中的原子非弹性碰撞而形成的团簇缺陷。

关键词电荷耦合器件 质子辐射效应 热像素
DOI10.13911/j.cnki.1004-3365.170108
收录类别CSCD
CSCD记录号CSCD:6177469
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文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/5247
专题中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室
材料物理与化学研究室
作者单位1.中国科学院新疆理化技术研究所特殊环境功能材料与器件重点实验室
2.新疆电子信息材料与器件重点实验室
3.中国科学院大学
推荐引用方式
GB/T 7714
刘元,文林,李豫东,等. 质子辐射导致CCD热像素产生的机制研究[J]. 微电子学,2018,48(1):115-119+125.
APA 刘元.,文林.,李豫东.,何承发.,郭旗.,...&王田珲.(2018).质子辐射导致CCD热像素产生的机制研究.微电子学,48(1),115-119+125.
MLA 刘元,et al."质子辐射导致CCD热像素产生的机制研究".微电子学 48.1(2018):115-119+125.
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