纳米PMOSFET负偏压温度不稳定性测试方法
崔江维; 郑齐文; 余徳昭; 周航; 苏丹丹; 马腾; 郭旗; 余学峰
2017
Source Publication固体电子学研究与进展
ISSN1000-3819
Volume37Issue:6Pages:433-437
Abstract

P型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)的负偏压温度不稳定性(NBTI)是制约纳米MOS器件在长寿命电子系统中应用的关键问题之一。为了准确地表征NBTI效应对器件参数的影响,分析了现有测试方法的特点,在此基础上改进了测试试验方法。利用该方法对90nm体硅工艺器件的NBTI效应进行了测试和分析,结果表明该方法能够很好地避免间断应力方法造成的参数快速恢复,获得更加准确的试验数据。

Keyword纳米器件 P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 负偏压温度不稳定性
Indexed ByCSCD
CSCD IDCSCD:6139725
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/5103
Collection中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室
材料物理与化学研究室
Affiliation1.中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室
2.新疆电子信息材料与器件重点实验室
3.中国科学院新疆理化技术研究所
4.中国科学院大学
Recommended Citation
GB/T 7714
崔江维,郑齐文,余徳昭,等. 纳米PMOSFET负偏压温度不稳定性测试方法[J]. 固体电子学研究与进展,2017,37(6):433-437.
APA 崔江维.,郑齐文.,余徳昭.,周航.,苏丹丹.,...&余学峰.(2017).纳米PMOSFET负偏压温度不稳定性测试方法.固体电子学研究与进展,37(6),433-437.
MLA 崔江维,et al."纳米PMOSFET负偏压温度不稳定性测试方法".固体电子学研究与进展 37.6(2017):433-437.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
纳米PMOSFET负偏压温度不稳定性测试(1113KB)期刊论文作者接受稿开放获取CC BY-NC-SAView Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[崔江维]'s Articles
[郑齐文]'s Articles
[余徳昭]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[崔江维]'s Articles
[郑齐文]'s Articles
[余徳昭]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[崔江维]'s Articles
[郑齐文]'s Articles
[余徳昭]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
File name: 纳米PMOSFET负偏压温度不稳定性测试方法.pdf
Format: Adobe PDF
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.