纳米PMOSFET负偏压温度不稳定性测试方法
崔江维; 郑齐文; 余徳昭; 周航; 苏丹丹; 马腾; 郭旗; 余学峰
2017
发表期刊固体电子学研究与进展
ISSN1000-3819
卷号37期号:6页码:433-437
摘要

P型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)的负偏压温度不稳定性(NBTI)是制约纳米MOS器件在长寿命电子系统中应用的关键问题之一。为了准确地表征NBTI效应对器件参数的影响,分析了现有测试方法的特点,在此基础上改进了测试试验方法。利用该方法对90nm体硅工艺器件的NBTI效应进行了测试和分析,结果表明该方法能够很好地避免间断应力方法造成的参数快速恢复,获得更加准确的试验数据。

关键词纳米器件 P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 负偏压温度不稳定性
收录类别CSCD
CSCD记录号CSCD:6139725
引用统计
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/5103
专题中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室
材料物理与化学研究室
作者单位1.中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室
2.新疆电子信息材料与器件重点实验室
3.中国科学院新疆理化技术研究所
4.中国科学院大学
推荐引用方式
GB/T 7714
崔江维,郑齐文,余徳昭,等. 纳米PMOSFET负偏压温度不稳定性测试方法[J]. 固体电子学研究与进展,2017,37(6):433-437.
APA 崔江维.,郑齐文.,余徳昭.,周航.,苏丹丹.,...&余学峰.(2017).纳米PMOSFET负偏压温度不稳定性测试方法.固体电子学研究与进展,37(6),433-437.
MLA 崔江维,et al."纳米PMOSFET负偏压温度不稳定性测试方法".固体电子学研究与进展 37.6(2017):433-437.
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