XJIPC OpenIR  > 材料物理与化学研究室
CMOS图像传感器光子转移曲线辐照后的退化机理
冯婕; 李豫东; 文林; 周东; 马林东
2017
Source Publication光学精密工程
ISSN1004-924X
Volume25Issue:10Pages:2676-2681
Abstract

针对EMVA 1288标准测试辐照后互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器的重要性能参数(光子转移曲线和转换增益)适用范围受限的问题,提出了针对辐照后CMOS图像传感器光子转移曲线和转换增益的改进的测试方法。该方法通过调整测试条件,限制辐照后CMOS图像传感器的暗电流和暗电流非均匀性噪声,求解出辐照后正确的器件性能参数,从而直观地得知辐照所引起的器件性能变化。利用该方法进行了实验测试,结果显示:辐照导致转换增益比辐照前退化了7.82%。依据此结果分析了辐照导致光子转移曲线和转换增益退化的机理,认为转换增益的退化是由于质子辐射引起的电离效应和位移效应导致暗电流、暗电流非均匀性增大所致。本文为掌握CMOS图像传感器的空间辐射效应提供了理论基础。

KeywordCmos图像传感器 辐照 光子转移曲线 转换增益
DOI10.3788/OPE.20172510.2676
Indexed ByEI ; CSCD
CSCD IDCSCD:6104525
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/5011
Collection材料物理与化学研究室
Affiliation中国科学院新疆理化技术研究所材料物理与化学研究室
Recommended Citation
GB/T 7714
冯婕,李豫东,文林,等. CMOS图像传感器光子转移曲线辐照后的退化机理[J]. 光学精密工程,2017,25(10):2676-2681.
APA 冯婕,李豫东,文林,周东,&马林东.(2017).CMOS图像传感器光子转移曲线辐照后的退化机理.光学精密工程,25(10),2676-2681.
MLA 冯婕,et al."CMOS图像传感器光子转移曲线辐照后的退化机理".光学精密工程 25.10(2017):2676-2681.
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