1 MeV电子辐照下晶格匹配与晶格失配GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池辐射效应研究
李占行; 艾尔肯·阿不都瓦衣提; 玛丽娅·黑尼; 方亮; 高伟; 高慧; 孟宪松; 郭旗
2017
Source Publication发光学报
ISSN1000-7032
Volume38Issue:4Pages:463-469
Abstract

对采用MOCVD方法制备的晶格匹配(LM)与晶格失配(UMM)GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池进行了1MeV电子辐射效应研究。结果表明:在电子辐照下,两种电池的I-V特性参数(开路电压Voc,短路电流Isc,最大输出功率Pmax)均发生衰降,且晶格失配电池的I-V特性参数衰降均大于晶格匹配电池。在光谱响应方面,对于顶电池,晶格匹配电池的衰降大于晶格失配电池;而中间电池则前者衰降小于后者;另外,Ge底电池的光谱响应表现特殊,辐照后光谱响应变强。

Keyword辐射效应 辐照退化 晶格匹配 晶格失配 三结太阳电池
Indexed ByEI ; CSCD
CSCD IDCSCD:5952170
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/4753
Collection中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室
材料物理与化学研究室
Affiliation中国科学院新疆理化技术研究所;中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院大学;中国电子科技集团公司第十八研究所
First Author Affilication中国科学院新疆理化技术研究所
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GB/T 7714
李占行,艾尔肯·阿不都瓦衣提,玛丽娅·黑尼,等. 1 MeV电子辐照下晶格匹配与晶格失配GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池辐射效应研究[J]. 发光学报,2017,38(4):463-469.
APA 李占行.,艾尔肯·阿不都瓦衣提.,玛丽娅·黑尼.,方亮.,高伟.,...&郭旗.(2017).1 MeV电子辐照下晶格匹配与晶格失配GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池辐射效应研究.发光学报,38(4),463-469.
MLA 李占行,et al."1 MeV电子辐照下晶格匹配与晶格失配GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池辐射效应研究".发光学报 38.4(2017):463-469.
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