CMOS有源像素图像传感器的电子辐照损伤效应研究
玛丽娅; 李豫东; 郭旗; 刘昌举; 文林; 汪波
2017
发表期刊发光学报
ISSN1000-7032
卷号38期号:2页码:182-187
摘要

对某国产CMOS图像传感器进行了两种不同能量的电子辐照试验,在辐照前后及退火过程中采用离线测量方法,考察了暗信号、饱和电压、光谱响应特性等参数,分析了器件的电子辐照效应损伤机理。结果表明:暗信号和暗信号非均匀性都随着辐照剂量的增加及高温退火时间的延长而增大;饱和电压在两种能量电子辐照下均出现较大幅度的减小,并在高温退火过程中有所恢复;光谱响应特性无特别明显变化。经分析,暗电流、饱和电压的变化主要由辐照诱发的氧化物陷阱电荷导致的光敏二极管耗尽层展宽和界面陷阱电荷密度增大导致产生-复合中心的增加所引起。

关键词电子辐照 Cmos有源像素传感器 暗信号
DOI10.3788/fgxb20173802.0182
收录类别EI ; CSCD
CSCD记录号CSCD:5912280
引用统计
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/4725
专题中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室
材料物理与化学研究室
作者单位1.中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室
2.新疆电子信息材料与器件重点实验室
3.中国科学院新疆理化技术研究所
4.中国科学院大学
5.重庆光电技术研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
玛丽娅,李豫东,郭旗,等. CMOS有源像素图像传感器的电子辐照损伤效应研究[J]. 发光学报,2017,38(2):182-187.
APA 玛丽娅,李豫东,郭旗,刘昌举,文林,&汪波.(2017).CMOS有源像素图像传感器的电子辐照损伤效应研究.发光学报,38(2),182-187.
MLA 玛丽娅,et al."CMOS有源像素图像传感器的电子辐照损伤效应研究".发光学报 38.2(2017):182-187.
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文件名: CMOS有源像素图像传感器的电子辐照损伤效应研究.pdf
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