电荷耦合器件的γ辐照剂量率效应研究
武大猷; 文林; 汪朝敏; 何承发; 郭旗; 李豫东; 曾俊哲; 汪波; 刘元
2016
Source Publication发光学报
ISSN1000-7032
Volume37Issue:6Pages:711-719
Abstract

对电荷耦合器件进行了不同剂量率的γ辐照实验,通过多种参数的测试探讨了剂量率与电荷耦合器件性能退化的关系,并对损伤的物理机理进行分析。辐照和退火结果表明:暗信号和暗信号非均匀性是γ辐照的敏感参数,电荷转移效率和饱和输出电压随剂量累积有缓慢下降的趋势;暗场像素灰度值整体抬升,像元之间的差异显著增加;电荷耦合器件的暗信号增量与剂量率呈负相关性,器件存在潜在的低剂量率损伤增强效应。分析认为,剂量率效应是由界面态和氧化物陷阱电荷竞争导致的。通过电子-空穴对复合模型、质子输运模型和界面态形成对机理进行了解释。

Keyword电荷耦合器件 暗信号 低剂量率损伤增强效应 暗场像素统计
DOI10.3788/fgxb20163706.0711
Indexed ByEI ; CSCD
CSCD IDCSCD:5713834
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/4607
Collection中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室
材料物理与化学研究室
Affiliation中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院新疆理化技术研究所;中国科学院大学;重庆光电技术研究所
Recommended Citation
GB/T 7714
武大猷,文林,汪朝敏,等. 电荷耦合器件的γ辐照剂量率效应研究[J]. 发光学报,2016,37(6):711-719.
APA 武大猷.,文林.,汪朝敏.,何承发.,郭旗.,...&刘元.(2016).电荷耦合器件的γ辐照剂量率效应研究.发光学报,37(6),711-719.
MLA 武大猷,et al."电荷耦合器件的γ辐照剂量率效应研究".发光学报 37.6(2016):711-719.
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